| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 太阳能概况 | 第12-13页 |
| 1.1.1 太阳能资源 | 第12-13页 |
| 1.1.2 太阳能利用方式 | 第13页 |
| 1.2 太阳电池种类 | 第13-15页 |
| 1.2.1 单质太阳电池 | 第14页 |
| 1.2.2 化合物太阳电池 | 第14页 |
| 1.2.3 有机聚合物太阳电池 | 第14-15页 |
| 1.3 多晶硅厚膜太阳电池 | 第15-16页 |
| 1.3.1 制作的必要性 | 第15页 |
| 1.3.2 制备方法 | 第15-16页 |
| 1.4 晶硅掺杂技术 | 第16-18页 |
| 1.4.1 掺杂的目的 | 第16页 |
| 1.4.2 掺杂方法 | 第16-18页 |
| 1.5 本文主要内容 | 第18-20页 |
| 第2章 制备系统、表征技术与原理 | 第20-30页 |
| 2.1 制备系统 | 第20-23页 |
| 2.1.1 多晶硅厚膜的制备系统 | 第20-22页 |
| 2.1.2 快速扩散的制备系统 | 第22-23页 |
| 2.2 表征技术 | 第23-25页 |
| 2.2.1 多晶硅薄膜的表征技术 | 第23-24页 |
| 2.2.2 快速扩散的表征技术 | 第24-25页 |
| 2.3 扩散原理 | 第25-28页 |
| 2.3.1 扩散方程 | 第25-26页 |
| 2.3.2 磷、硼扩散原理 | 第26-27页 |
| 2.3.3 固态源扩散 | 第27-28页 |
| 2.4 I-V曲线测试 | 第28-29页 |
| 2.5 本章总结 | 第29-30页 |
| 第3章 石墨衬底多晶硅厚膜制备与表征 | 第30-41页 |
| 3.1 石墨衬底的选择 | 第30页 |
| 3.2 多晶硅厚膜的制备 | 第30-32页 |
| 3.2.1 石墨衬底上籽晶层的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.2 石墨衬底多晶硅厚膜的制备 | 第31-32页 |
| 3.3 多晶硅厚膜的表征 | 第32-34页 |
| 3.3.1 多晶硅厚膜SEM分析 | 第32-33页 |
| 3.3.2 多晶硅厚膜XRD分析 | 第33-34页 |
| 3.4 ZnO对多晶硅厚膜的影响 | 第34-35页 |
| 3.4.1 ZnO的性质与作用 | 第34-35页 |
| 3.4.2 ZnO过渡层的制备 | 第35页 |
| 3.5 ZnO对多晶硅厚膜的影响的表征 | 第35-37页 |
| 3.5.1 SEM测试表征 | 第35-36页 |
| 3.5.2 XRD测试表征 | 第36-37页 |
| 3.6 择优晶向成因分析 | 第37-40页 |
| 3.6.1 石墨衬底籽晶层Si(220)择优取向成因分析 | 第37-39页 |
| 3.6.2 引入ZnO过渡层后籽晶层(400)择优取向成因分析 | 第39-40页 |
| 3.7 本章总结 | 第40-41页 |
| 第4章 单晶硅磷、硼快速扩散的制备与表征 | 第41-52页 |
| 4.1 单晶硅磷、硼快速扩散的制备 | 第41-42页 |
| 4.1.1 单晶硅片的选择与预处理 | 第41页 |
| 4.1.2 单晶硅磷、硼快速扩散的制备 | 第41-42页 |
| 4.2 磨角与染色 | 第42-43页 |
| 4.3 结果与分析 | 第43-50页 |
| 4.4 I-V曲线测试 | 第50-51页 |
| 4.5 本章总结 | 第51-52页 |
| 第5章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 单晶硅快速磷、硼扩散制备的结论 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |