| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第8-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 晶体生长与各向异性 | 第9页 |
| 1.3 晶体生长各向异性的数值模拟方法 | 第9-11页 |
| 1.4 晶体生长过程研究现状 | 第11-16页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 分子动力学方法与分析技术 | 第17-22页 |
| 2.1 分子动力学基本原理 | 第17-20页 |
| 2.1.1 势函数 | 第17-18页 |
| 2.1.2 分子动力学模拟的系综 | 第18-19页 |
| 2.1.3 分子动力学模拟的步骤 | 第19-20页 |
| 2.2 分析方法 | 第20-21页 |
| 2.2.1 晶体原子数 | 第20页 |
| 2.2.2 均方位移 | 第20-21页 |
| 2.2.3 层密度函数 | 第21页 |
| 2.3 模拟和分析软件 | 第21-22页 |
| 第3章 单晶硅生长各向异性 | 第22-42页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 单晶熔化和生长的模型 | 第22-23页 |
| 3.3 模拟结果 | 第23-31页 |
| 3.3.1 相同温度下硅晶体沿不同晶面的各向异性生长 | 第23-26页 |
| 3.3.2 不同晶面的熔点模拟计算 | 第26-28页 |
| 3.3.3 相同过冷度下硅晶体不同晶面的各向异性生长 | 第28-31页 |
| 3.4 分析与讨论 | 第31-41页 |
| 3.4.1 数学模型 | 第31-33页 |
| 3.4.2 扩散系数 | 第33-36页 |
| 3.4.3 晶体缺陷 | 第36-37页 |
| 3.4.4 热导率 | 第37-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 不同温度下双晶的择优生长 | 第42-52页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 双晶生长模型 | 第42-43页 |
| 4.3 模拟结果 | 第43-50页 |
| 4.3.1 (100)-(110)双晶的择优生长 | 第43-45页 |
| 4.3.2 (111)-(112)双晶的择优生长 | 第45-48页 |
| 4.3.3 (100)-(112)双晶的择优生长 | 第48-50页 |
| 4.4 双晶与缺陷的形核 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 双晶在应变下的择优生长 | 第52-66页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 双晶在应变下生长的模型 | 第52-53页 |
| 5.3 应变下的双晶择优生长 | 第53-65页 |
| 5.3.1 应变下(100)-(110)双晶的择优生长 | 第53-55页 |
| 5.3.2 应变下(100)-(111)双晶的择优生长 | 第55-58页 |
| 5.3.3 应变下(111)-(112)双晶生长 | 第58-62页 |
| 5.3.4 其他双晶的在不同应变下的生长 | 第62-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第73页 |
