| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第9-10页 |
| 缩略语对照表 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 半导体材料的发展 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 MgZnO/ZnO异质结材料特性及子带结构计算 | 第19-33页 |
| 2.1 ZnO的基本结构和性质 | 第19-21页 |
| 2.1.1 ZnO的晶格结构 | 第19-20页 |
| 2.1.2 ZnO的光电特性 | 第20-21页 |
| 2.2 MgZnO及MgZnO/ZnO异质结 | 第21-26页 |
| 2.2.1 MgZnO基本性质 | 第21-22页 |
| 2.2.2 MgZnO/ZnO异质结特性 | 第22-24页 |
| 2.2.3 极化效应 | 第24-26页 |
| 2.3 2DEG子带计算 | 第26-28页 |
| 2.4 2DEG的迁移率 | 第28-31页 |
| 2.4.1 散射基本理论 | 第28-30页 |
| 2.4.2 迁移率 | 第30-31页 |
| 2.5 总结 | 第31-33页 |
| 第三章 势垒层厚度波动散射对2DEG迁移率的影响理论研究 | 第33-43页 |
| 3.1 势垒层波动的作用及其散射率模型 | 第33-34页 |
| 3.1.1 势垒层波动的作用 | 第33-34页 |
| 3.1.2 散射率模型 | 第34页 |
| 3.2 势垒层波动散射及其迁移率 | 第34-37页 |
| 3.2.1 势垒层厚度波动的散射 | 第34-36页 |
| 3.2.2 界面粗糙散射 | 第36页 |
| 3.2.3 位错散射 | 第36-37页 |
| 3.2.4 压电散射 | 第37页 |
| 3.3 MgZnO/ZnO异质结2DEG低温输运特性分析 | 第37-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 多子带2DEG迁移率的温度特性研究 | 第43-59页 |
| 4.1 子带电子的概述及其多子带电子的分布 | 第43-45页 |
| 4.1.1 子带电子的概述 | 第43-44页 |
| 4.1.2 多子带电子的分布 | 第44-45页 |
| 4.2 主要的散射机制及其迁移率 | 第45-54页 |
| 4.2.1 电离杂质散射 | 第45-46页 |
| 4.2.2 声学波形变势散射 | 第46-48页 |
| 4.2.3 声学波压电散射 | 第48-49页 |
| 4.2.4 界面粗糙散射 | 第49-50页 |
| 4.2.5 光学波形变势散射 | 第50页 |
| 4.2.6 位错散射 | 第50-51页 |
| 4.2.7 极性光学波散射 | 第51-52页 |
| 4.2.8 合金散射 | 第52-54页 |
| 4.3 迁移率的温度特性 | 第54-57页 |
| 4.4 本章总结 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 作者简介 | 第67-68页 |
