| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 序言 | 第10-29页 |
| 1.1 有机半导体薄膜在有机光电器件中的应用 | 第12-20页 |
| 1.1.1 有机发光二极管 | 第12-13页 |
| 1.1.2 有机光伏电池 | 第13-15页 |
| 1.1.3 机薄膜晶体管 | 第15-18页 |
| 1.1.4 有机薄膜传感器 | 第18-20页 |
| 1.2 有机半导体薄膜的生长 | 第20-23页 |
| 1.2.1 有机半导体薄膜的生长方法 | 第20-21页 |
| 1.2.2 红荧烯薄膜生长的研究进展 | 第21-23页 |
| 1.2.3 红荧烯薄膜生长目前存在的问题 | 第23页 |
| 1.3 论文研究思路 | 第23-24页 |
| 1.4 论文实验方法 | 第24-25页 |
| 1.4.1 薄膜的制备方法 | 第24-25页 |
| 1.4.2 薄膜的表征方法 | 第25页 |
| 1.4.3 薄膜晶体管和薄膜传感器的制备和测试 | 第25页 |
| 参考文献 | 第25-29页 |
| 第二章 红荧烯薄膜的弱外延生长 | 第29-48页 |
| 2.1 序言 | 第29-30页 |
| 2.2 诱导层p-6P的厚度对红荧烯薄膜的影响 | 第30-38页 |
| 2.2.1 红荧烯分子在SiO_2基底上的生长 | 第30-31页 |
| 2.2.2 诱导层p-6P的厚度对红荧烯薄膜形貌的影响 | 第31-37页 |
| 2.2.3 诱导层p-6P的厚度对红荧烯薄膜器件性能的影响 | 第37-38页 |
| 2.3 红荧烯分子生长的基底温度对红荧烯薄膜的影响 | 第38-44页 |
| 2.3.1 红荧烯分子生长的基底温度对红荧烯薄膜形貌的影响 | 第38-41页 |
| 2.3.2 红荧烯分子生长的基底温度对红荧烯薄膜器件性能的影响 | 第41-44页 |
| 2.4 总结 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第三章 异质核C_(60)诱导高质量红荧烯超薄膜的生长 | 第48-67页 |
| 3.1 序言 | 第48-49页 |
| 3.2 异质核C_(60)诱导红荧烯薄膜的生长 | 第49-58页 |
| 3.2.1 异质核C_(60)在诱导层p-6P上的生长 | 第49-50页 |
| 3.2.2 异质核C_(60)诱导生长的红荧烯薄膜形貌 | 第50-57页 |
| 3.2.3 异质核C_(60)诱导生长的红荧烯薄膜结构 | 第57-58页 |
| 3.3 基于异质核C_(60)诱导生长的红荧烯薄膜晶体管 | 第58-64页 |
| 3.3.1 异质核C_(60)诱导生长的红荧烯薄膜器件性能 | 第58-62页 |
| 3.3.2 异质核C_(60)的剂量对红荧烯薄膜器件性能的影响 | 第62-64页 |
| 3.4 总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章 基于异质核C_(60)诱导生长的红荧烯薄膜传感器 | 第67-81页 |
| 4.1 序言 | 第67-68页 |
| 4.2 不同厚度的红荧烯异质薄膜对NO_2和NH_3的响应 | 第68-73页 |
| 4.3 含有不同剂量C_(60)的红荧烯异质薄膜对NO_2和NH_3的响应 | 第73-77页 |
| 4.4 总结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 论文工作总结 | 第81-84页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
