直拉单晶硅磁场生长工艺及氧的掺入机理研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 单晶硅发展 | 第7-8页 |
| 1.3 直拉单晶硅生产技术 | 第8-11页 |
| 1.4 直拉法生长单晶硅品质要求 | 第11-12页 |
| 1.5 磁场拉晶技术 | 第12-14页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 勾型磁场生长理论及模型建立 | 第16-21页 |
| 2.1 勾型磁场直拉单晶硅生长理论 | 第16页 |
| 2.2 固-液界面氧边界层 | 第16-17页 |
| 2.3 固-液界面曲率计算 | 第17-18页 |
| 2.4 模型建立 | 第18-21页 |
| 第三章 勾型磁场结构确定 | 第21-30页 |
| 3.1 勾型磁场线圈间距 | 第21-25页 |
| 3.2 磁场比的确定 | 第25-29页 |
| 3.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 磁场条件下晶转数和埚转数确定 | 第30-38页 |
| 4.1 晶转数确定 | 第30-33页 |
| 4.2 埚转数确定 | 第33-36页 |
| 4.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第五章 拉晶速率确定 | 第38-43页 |
| 5.1 拉晶速率对熔体内温度梯度影响 | 第38-39页 |
| 5.2 拉速对晶体应力影响 | 第39-40页 |
| 5.3 拉速对晶体V/G影响 | 第40页 |
| 5.4 拉速对晶体固液界面形状影响 | 第40-41页 |
| 5.5 拉速对固液界面氧边界层影响 | 第41-42页 |
| 5.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第六章 结论与展望 | 第43-45页 |
| 6.1 结论 | 第43-44页 |
| 6.2 展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 个人简介 | 第50页 |
