| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 SiC JBS器件的研究意义 | 第16-17页 |
| 1.2 SiC JBS器件的国内外发展现状 | 第17-21页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第18-20页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第21-24页 |
| 第二章 4H-SiC肖特基二极管理论模型与常用终端简介 | 第24-50页 |
| 2.1 SiC JBS器件模型和参数 | 第24-28页 |
| 2.2 沟槽结构JBS二极管 | 第28-32页 |
| 2.2.1 JBS二极管工作原理 | 第28-31页 |
| 2.2.2 沟槽结构JBS的特征 | 第31-32页 |
| 2.3 JBS/TJBS的主要参数 | 第32-40页 |
| 2.3.1 击穿电压 | 第32-34页 |
| 2.3.2 反向漏电流 | 第34-36页 |
| 2.3.3 导通电阻 | 第36-40页 |
| 2.4 JBS/TJBS的场限环终端及其优化 | 第40-48页 |
| 2.4.1 场限环（FLR）终端结构 | 第40-41页 |
| 2.4.2 多级场限环终端结构的优化 | 第41-48页 |
| 2.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第三章 不同TJBS单胞结构的研究 | 第50-68页 |
| 3.1 工艺先后顺序对沟槽结构的影响 | 第50-53页 |
| 3.2 槽深与注入深度相对性的影响 | 第53-57页 |
| 3.2.1 注入深度D对TJBS_B的影响 | 第53-55页 |
| 3.2.2 槽深d对TJBS_B的影响 | 第55-57页 |
| 3.3 槽宽与注入宽度相对性的影响 | 第57-63页 |
| 3.3.1 注入宽度wi对TJBS_B的影响 | 第57-61页 |
| 3.3.2 槽宽wt对TJBS_B的影响 | 第61-63页 |
| 3.4 套刻偏差的影响 | 第63-66页 |
| 3.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 带有终端结构的TJBS器件研究 | 第68-76页 |
| 4.1 各不同类型的沟槽方式 | 第68-70页 |
| 4.2 终端刻槽的影响 | 第70-74页 |
| 4.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 结束语 | 第76-78页 |
| 5.1 工作总结 | 第76-77页 |
| 5.2 研究展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |