| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 氧化物半导体研究历史与应用 | 第8-10页 |
| 1.2.1 氧化物半导体材料简介 | 第9页 |
| 1.2.2 氧化物半导体的应用 | 第9-10页 |
| 1.3 铟镓锌氧化物薄膜及TFT研究 | 第10-15页 |
| 1.3.1 铟镓锌氧化物薄膜简介 | 第10-11页 |
| 1.3.2 氧化物薄膜晶体管简介 | 第11-13页 |
| 1.3.3 氧化物薄膜晶体管研究进展 | 第13-15页 |
| 1.4 选题依据与主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 铟镓锌氧化物结构性质与制备方法 | 第17-23页 |
| 2.1 铟镓锌氧化物结构性质 | 第17-19页 |
| 2.1.1 铟镓锌氧化物晶格结构 | 第17-18页 |
| 2.1.2 铟镓锌氧化物电子输运特性 | 第18-19页 |
| 2.2 铟镓锌氧化物薄膜的制备方法 | 第19-22页 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积 | 第19-20页 |
| 2.2.2 磁控溅射 | 第20-21页 |
| 2.2.3 溶液法 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 H_2O_2对溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜光学特性的影响 | 第23-41页 |
| 3.1 实验材料与实验设备 | 第23-27页 |
| 3.1.1 薄膜制备 | 第23-25页 |
| 3.1.2 薄膜的表征及测试方法 | 第25-27页 |
| 3.2 H_2O_2对铟镓锌氧化物薄膜性能的影响 | 第27-35页 |
| 3.2.1 H_2O_2对铟镓锌氧化物薄膜表面微观结构的影响 | 第27-31页 |
| 3.2.2 H_2O_2对铟镓锌氧化物薄膜光学带隙的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.3 讨论 | 第33-35页 |
| 3.3 H_2O_2含量对铟镓锌氧化物薄膜的影响 | 第35-39页 |
| 3.3.1 H_2O_2含量对铟镓锌氧化物薄膜的表面微结构的影响 | 第35-38页 |
| 3.3.2 H_2O_2含量对铟镓锌氧化物薄膜光学带隙的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 压强对溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜性能的影响 | 第41-48页 |
| 4.1 样品的制备与模型的建立 | 第41-45页 |
| 4.2 压强对铟镓锌氧化物薄膜性能影响 | 第45-46页 |
| 4.2.1 压强对铟镓锌氧化物薄膜表面微观结构的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.2 压强对铟镓锌氧化物薄膜光学带隙的影响 | 第46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 主要结论与展望 | 第48-50页 |
| 5.1 主要结论 | 第48-49页 |
| 5.2 展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第55页 |
