| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第11-19页 |
| 1.1 本论文的研究背景和现状 | 第11页 |
| 1.2 弹性常数的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 位错性质的研究现状 | 第12-17页 |
| 1.3.1 半导体Ge中的位错 | 第15-16页 |
| 1.3.2 GaAs中的位错 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的研究意义 | 第17页 |
| 1.5 本论文的主要内容和安排 | 第17-19页 |
| 第二章 计算方法 | 第19-29页 |
| 2.1 第一性原理计算方法 | 第19页 |
| 2.2 薛定谔方程 | 第19-20页 |
| 2.3 玻恩-奥本海默近似 | 第20-21页 |
| 2.4 Hartree-Fork近似(哈特力-福克自洽场方法) | 第21-23页 |
| 2.4.1 Hartree近似 | 第21-22页 |
| 2.4.2 Fork近似 | 第22-23页 |
| 2.5 密度泛函理论 | 第23-28页 |
| 2.5.1 Hohenbery-Kohn近似 | 第23-24页 |
| 2.5.2 Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| 2.5.3 局域密度近似 | 第25-26页 |
| 2.5.4 广义梯度近似 | 第26-27页 |
| 2.5.5 赝势平面波方法 | 第27-28页 |
| 2.6 计算软件VASP简介 | 第28-29页 |
| 第三章 Ge和GaAs的弹性性质 | 第29-45页 |
| 3.1 线性弹性理论 | 第29页 |
| 3.2 非线性弹性理论 | 第29-32页 |
| 3.3 理论方法 | 第32-33页 |
| 3.4 计算方法 | 第33页 |
| 3.5 计算结果与讨论 | 第33-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-45页 |
| 第四章 Ge和GaAs的广义层错能 | 第45-51页 |
| 4.1 广义层错能的概述 | 第45页 |
| 4.2 Ge和GaAs广义层错能的计算 | 第45-46页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第46-51页 |
| 第五章 Ge和GaAs的位错方程及Peierls势垒和Peierls应力 | 第51-61页 |
| 5.1 位错方程 | 第51-52页 |
| 5.2 位错的芯结构及Peierls势垒和Peierls应力 | 第52-58页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第58-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 总结 | 第61-62页 |
| 6.2 展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 附录A (攻读硕士学位期间发表的学术论文) | 第71-73页 |
| 附录B (攻读硕士学位期间参与项目及获奖文) | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
