| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第14-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 论文的主要研究工作和内容安排 | 第17-20页 |
| 第二章 ZnMgO/ZnO异质结工作机理 | 第20-26页 |
| 2.1 ZnO和ZnMgO材料的基本结构与特性 | 第20-22页 |
| 2.1.1 ZnO材料的基本结构与特性 | 第20-21页 |
| 2.1.2 ZnMgO材料的基本结构与特性 | 第21-22页 |
| 2.2 ZnMgO/ZnO异质结2DEG的形成机理 | 第22-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 不同散射机制对ZnMgO/ZnO异质结输运特性的Monte Carlo模拟研究 | 第26-46页 |
| 3.1 Monte Carlo模型 | 第26-30页 |
| 3.2 ZnO和MgZnO能带结构的计算 | 第30-32页 |
| 3.3 散射机制分析 | 第32-35页 |
| 3.4 界面粗糙散射 | 第35-37页 |
| 3.4.1 界面粗糙散射矩阵元的推导 | 第35-36页 |
| 3.4.2 界面粗糙散射率仿真 | 第36-37页 |
| 3.5 合金散射 | 第37-40页 |
| 3.5.1 合金散射矩阵元的推导 | 第37-39页 |
| 3.5.2 合金散射率仿真 | 第39-40页 |
| 3.6 位错散射 | 第40-44页 |
| 3.6.1 位错散射矩阵元的推导 | 第40页 |
| 3.6.2 位错散射率仿真 | 第40-41页 |
| 3.6.3 迁移率位错浓度关系模拟 | 第41-42页 |
| 3.6.4 位错浓度对稳态特性的影响 | 第42-43页 |
| 3.6.5 位错浓度对瞬态特性的影响 | 第43-44页 |
| 3.7 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 ZnMgO/ZnO异质结高场输运特性的Monte Carlo模拟研究 | 第46-54页 |
| 4.1 子带波函数的计算 | 第46-47页 |
| 4.2 迁移率温度特性分析 | 第47-48页 |
| 4.3 稳态特性模拟 | 第48-50页 |
| 4.4 子带和能谷的占据率计算 | 第50-51页 |
| 4.5 瞬态特性模拟 | 第51-53页 |
| 4.6 迁移率电场特性分析 | 第53页 |
| 4.7 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 作者简介 | 第64页 |
