| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-43页 |
| 1.1 前言 | 第15页 |
| 1.2 有机场效应晶体管 | 第15-21页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管简介 | 第16-17页 |
| 1.2.2 影响有机场效应晶体管器件性能的因素 | 第17-20页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管的研究热点 | 第20-21页 |
| 1.3 高迁移率的有机半导体的分子工程 | 第21-30页 |
| 1.3.1 有机半导体的电荷传输方式 | 第22-24页 |
| 1.3.2 高迁移率的共轭小分子 | 第24-29页 |
| 1.3.3 高迁移率的共轭聚合物 | 第29-30页 |
| 1.4 有机场效应晶体管的界面工程 | 第30-34页 |
| 1.4.1 电极/半导体界面 | 第31-34页 |
| 1.4.2 绝缘层/半导体界面 | 第34页 |
| 1.5 有机半导体分子的晶体调控 | 第34-41页 |
| 1.5.1 调整分子的多晶型结构 | 第35-38页 |
| 1.5.2 调整分子的晶格结构 | 第38-39页 |
| 1.5.3 调整分子排列的取向有序结构 | 第39-41页 |
| 1.6 本论文的立论和意义 | 第41-42页 |
| 1.7 本论文的目的和创新点 | 第42-43页 |
| 第二章 取向聚合物基底的制备、结构和性能 | 第43-53页 |
| 2.1 前言 | 第43-44页 |
| 2.2 实验部分 | 第44-46页 |
| 2.2.1 样品制备及器件构筑 | 第44-45页 |
| 2.2.2 仪器与表征手段 | 第45-46页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第46-50页 |
| 2.3.1 高取向HDPE薄膜的结构和电容测定 | 第46-48页 |
| 2.3.2 高取向PVDF薄膜的结构和电容测定 | 第48-50页 |
| 2.4 聚合物取向薄膜的电容理论计算 | 第50-51页 |
| 2.5 小结 | 第51-53页 |
| 第三章 PESE薄膜的控制生长及场效应性能 | 第53-73页 |
| 3.1 前言 | 第53-54页 |
| 3.2 实验部分 | 第54-57页 |
| 3.2.1 样品制备及器件构筑 | 第54-57页 |
| 3.2.2 仪器与表征手段 | 第57页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第57-71页 |
| 3.3.1 PESE基于OTS-SiO_2的薄膜场效应晶体管 | 第57-59页 |
| 3.3.2 取向HDPE基底诱导的PESE薄膜的形貌结构 | 第59-65页 |
| 3.3.3 取向HDPE基底诱导的PESE薄膜场效应晶体管 | 第65-69页 |
| 3.3.4 取向PVDF基底诱导PESE薄膜形貌及场效应性能 | 第69-71页 |
| 3.4 小结 | 第71-73页 |
| 第四章 F-NDI薄膜的控制生长及场效应性能 | 第73-91页 |
| 4.1 前言 | 第73-74页 |
| 4.2 实验部分 | 第74-78页 |
| 4.2.1 样品制备及器件构筑 | 第74-77页 |
| 4.2.2 仪器与表征手段 | 第77-78页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第78-89页 |
| 4.3.1 F-NDI基于OTS-SiO_2薄膜场效应晶体管 | 第78-80页 |
| 4.3.2 取向HDPE基底诱导的F-NDI薄膜的形貌结构 | 第80-85页 |
| 4.3.3 取向HDPE基底诱导的F-NDI薄膜场效应晶体管 | 第85-87页 |
| 4.3.4 取向PVDF基底诱导F-NDI薄膜形貌及场效应性能 | 第87-89页 |
| 4.4 小结 | 第89-91页 |
| 第五章 总结 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-105页 |
| 致谢 | 第105-107页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第107-109页 |
| 作者简介 | 第109页 |
| 导师简介 | 第109-111页 |
| 附件 | 第111-113页 |
