| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 非极性、半极性GaN基材料的研究现状与挑战 | 第11-13页 |
| 1.1.1 衬底的选择 | 第11-12页 |
| 1.1.2 外延生长 | 第12-13页 |
| 1.1.3 出光效率 | 第13页 |
| 1.2 论文研究内容及创新点 | 第13-15页 |
| 第二章 MOVPE外延生长技术及表征方法 | 第15-27页 |
| 2.1 MOVPE外延生长技术 | 第15-21页 |
| 2.1.1 MOVPE系统介绍 | 第15-16页 |
| 2.1.2 MOVPE系统外延生长机理 | 第16-17页 |
| 2.1.3 外延生长模式 | 第17-18页 |
| 2.1.4 外延生长工艺流程 | 第18-19页 |
| 2.1.5 各生长参数对外延生长的影响 | 第19-21页 |
| 2.2 相关表征方法 | 第21-26页 |
| 2.2.1 紫外-可见分光光度计 | 第21-22页 |
| 2.2.2 高分辨X射线衍射仪 | 第22-23页 |
| 2.2.3 场发射扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| 2.2.4 霍尔效应测试仪 | 第24-26页 |
| 2.2.5 光致发光测试仪 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 非极性和半极性GaN材料的生长及表征 | 第27-36页 |
| 3.1 a面蓝宝石衬底上GaN的生长 | 第27-29页 |
| 3.1.1 参数设计 | 第27-28页 |
| 3.1.2 结果分析 | 第28-29页 |
| 3.2 m面蓝宝石衬底上GaN材料的生长 | 第29-31页 |
| 3.2.1 参数的设计 | 第29页 |
| 3.2.2 结果分析 | 第29-31页 |
| 3.3 r面蓝宝石衬底上GaN材料的生长 | 第31-34页 |
| 3.3.1 参数设计 | 第31-33页 |
| 3.3.2 结果分析 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 非极性和半极性AlGaN材料的生长及表征 | 第36-45页 |
| 4.1 非极性AlGaN材料的生长 | 第36-40页 |
| 4.2 半极性AlGaN材料的生长 | 第40-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 极性,非极性和半极性AlGaN材料Si掺杂的研究 | 第45-53页 |
| 5.1 生长条件的设计 | 第45-46页 |
| 5.2 表征结果分析 | 第46-52页 |
| 5.2.1 表面形貌 | 第46-47页 |
| 5.2.2 晶体质量 | 第47-49页 |
| 5.2.3 电学特性 | 第49-50页 |
| 5.2.4 光学性质 | 第50-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 6.1 全文总结 | 第53-54页 |
| 6.2 未来展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 附录：攻读硕士学位期间的研究成果 | 第61页 |