| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 SiC材料及SiC功率器件 | 第17-20页 |
| 1.1.1 SiC材料的优势 | 第17-18页 |
| 1.1.2 SiC功率器件 | 第18-20页 |
| 1.2 SiC JFET功率器件的热可靠性研究背景 | 第20-24页 |
| 1.2.1 高温SiC JFET功率器件及应用 | 第20-21页 |
| 1.2.2 SiC JFET功率器件的热可靠性 | 第21-24页 |
| 1.3 SiC JFET热可靠性研究现状、存在的问题及研究意义 | 第24-26页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第26-27页 |
| 第二章 SiC JFET器件热稳定性分析及仿真 | 第27-39页 |
| 2.1 SiC JFET器件热稳定性分析 | 第27-32页 |
| 2.1.1 SiC JFET器件结构 | 第27-29页 |
| 2.1.2 器件可耗散掉的功率 | 第29-30页 |
| 2.1.3 器件的热平衡工作点 | 第30-32页 |
| 2.2 SiC JFET器件电热仿真采用的物理模型 | 第32-35页 |
| 2.2.1 热力学模型 | 第32-33页 |
| 2.2.2 其他关键的物理模型 | 第33-35页 |
| 2.3 SiC JFET器件的正向特性及结温仿真 | 第35-38页 |
| 2.3.1 自热效应对SiC JFET器件特性的影响 | 第35-37页 |
| 2.3.2 器件静态工作时内部温度分布 | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 SiC JFET器件静态特性及结温的影响因素 | 第39-57页 |
| 3.1 栅偏置与工作环境对SiC JFET正向特性和结温的影响 | 第39-44页 |
| 3.1.1 栅偏置对器件正向特性及结温的影响 | 第39-41页 |
| 3.1.2 环境温度和散热条件对器件正向特性及结温的影响 | 第41-44页 |
| 3.2 温度对SiC JFET器件阈值电压的影响 | 第44-46页 |
| 3.3 结构参数设计对SiC JFET器件静态特性和结温的影响 | 第46-55页 |
| 3.3.1 沟道宽度对器件静态特性和结温的影响 | 第47-51页 |
| 3.3.2 漂移层宽度对器件静态特性和结温的影响 | 第51-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 SiC JFET器件的雪崩模式仿真及热可靠性研究 | 第57-73页 |
| 4.1 雪崩测试原理及SiC JFET器件雪崩模式仿真 | 第57-59页 |
| 4.2 SiC JFET在不同条件下的雪崩模式仿真 | 第59-65页 |
| 4.2.1 不同电感负载下器件的雪崩特性及结温仿真 | 第59-63页 |
| 4.2.2 不同初始雪崩电流对SiC JFET雪崩特性及热可靠性的影响 | 第63-65页 |
| 4.3 不同条件下的雪崩实验 | 第65-71页 |
| 4.3.1 不同电感负载下器件的雪崩实验 | 第66-67页 |
| 4.3.2 不同初始雪崩电流下器件的雪崩实验 | 第67-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 结论和展望 | 第73-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 作者简介 | 第85-86页 |
