| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 1 绪论 | 第22-48页 |
| 1.1 薄膜稀磁半导体简介 | 第22-25页 |
| 1.2 新型块材稀磁半导体的研究和发展 | 第25-31页 |
| 1.3 稀磁半导体的磁性起源 | 第31-43页 |
| 1.4 本文结构和创新点 | 第43-48页 |
| 2 样品的制备与测量方法 | 第48-73页 |
| 2.1 样品制备方法 | 第48-51页 |
| 2.2 X射线衍射技术 | 第51-54页 |
| 2.3 四引线测电阻法 | 第54-56页 |
| 2.4 SQUID测量方法 | 第56-60页 |
| 2.5 缪子自旋共振技术 | 第60-63页 |
| 2.6 核磁共振技术 | 第63-71页 |
| 2.7 中子散射技术 | 第71-73页 |
| 3 1111型块材稀磁半导体的制备及基本物性测量 | 第73-94页 |
| 3.1 引言 | 第73-74页 |
| 3.2 样品制备和实验方法 | 第74-75页 |
| 3.3 粉末X射线衍射测量 | 第75-78页 |
| 3.4 电阻-温度关系分析 | 第78-83页 |
| 3.5 宏观磁性测量 | 第83-92页 |
| 3.6 小结 | 第92-94页 |
| 4 1111型块材稀磁半导体的微观磁性测量 | 第94-104页 |
| 4.1 引言 | 第94页 |
| 4.2 缪子自旋共振研究 | 第94-102页 |
| 4.3 中子散射研究 | 第102-103页 |
| 4.4 小结 | 第103-104页 |
| 5 (La_(1-x)Ba_x)(Zn_(1-x)Mn_x)AsO在低掺杂区域(x≤5%)的磁性研究 | 第104-113页 |
| 5.1 引言 | 第104页 |
| 5.2 La(Zn_(0.9)Mn_(0.1))AsO的磁性研究 | 第104-106页 |
| 5.3 (La_(1-x)Ba_x)(Zn_(1-x)Mn_x)AsO (0.5%≤x≤5%)的磁性研究 | 第106-110页 |
| 5.4 (La_(1-x)Ba_x)(Zn_(1-x)Mn_x)AsO(x≤2%)的随机交换作用模型拟合结果 | 第110-112页 |
| 5.5 小结 | 第112-113页 |
| 6 Li_(1.15)(Zn_(0.9)Mn_(0.1))P的核磁共振研究 | 第113-124页 |
| 6.1 引言 | 第113页 |
| 6.2 样品制备和实验方法 | 第113-114页 |
| 6.3 Li_(1.15)(Zn_(1-x)Mn_x)P(x=0.05,0.10,0.15)的X射线衍射和的磁化强度测量 | 第114页 |
| 6.4 Li_(1.15)(Zn_(0.9)Mn_(0.1))P的核磁共振研究 | 第114-122页 |
| 6.5 小结 | 第122-124页 |
| 7 其他块材稀磁半导体材料的探索和展望 | 第124-132页 |
| 7.1 引言 | 第124-125页 |
| 7.2 (La_(1-x)Ba_x)(Cu_(0.95)Mn_(0.05))SO的制备与研究 | 第125-128页 |
| 7.3 SrFCuS的A/Mn(A=K,Na,F)共掺杂的稀磁半导体的制备与研究 | 第128-129页 |
| 7.4 高掺杂区域的(La_(1-x)Ba_x)(Zn_(0.5)Mn_(0.5))AsO的制备与研究 | 第129-132页 |
| 参考文献 | 第132-141页 |
| 发表文章目录 | 第141-143页 |
