| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 立方碳化硅的基本性质及应用前景 | 第12-15页 |
| 1.3 立方碳化硅的生长技术 | 第15-16页 |
| 1.4 椭圆偏振光谱基本原理 | 第16-20页 |
| 1.5 拉曼散射光谱基本原理 | 第20-25页 |
| 1.6 论文的研究内容及章节安排 | 第25-26页 |
| 第二章 立方碳化硅的椭圆偏振光谱研究 | 第26-43页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 实验仪器介绍 | 第26-27页 |
| 2.3 3C-SiC薄膜的常温椭圆偏振光谱测量与分析 | 第27-34页 |
| 2.4 3C-SiC薄膜的变温椭圆偏振光谱测量与分析 | 第34-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 不同激发波长拉曼散射的立方碳化硅薄膜晶体特性研究 | 第43-55页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 实验仪器介绍 | 第43-44页 |
| 3.3 不同激发波长3C-SiC薄膜的拉曼散射实验与分析 | 第44-54页 |
| 3.3.1 3C-SiC薄膜的拉曼光谱空间相关模型的理论分析 | 第47-49页 |
| 3.3.2 3C-SiC薄膜的拉曼光谱纵光学声子-等离子体激元耦合模(LOPC)的理论分析 | 第49-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 横截面拉曼光谱分析立方碳化硅薄膜应变分布 | 第55-63页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 实验仪器介绍 | 第55-56页 |
| 4.3 横截面拉曼光谱3C-SiC薄膜应变的实验与分析 | 第56-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 立方碳化硅的变温拉曼光谱研究 | 第63-73页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 实验仪器介绍 | 第63-64页 |
| 5.3 3C-SiC薄膜的变温拉曼光谱测量与分析 | 第64-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 论文总结和展望 | 第73-75页 |
| 6.1 全文总结 | 第73-74页 |
| 6.2 研究展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文及研究成果 | 第82页 |
