| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 中子和 γ 射线辐照概述 | 第16-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17页 |
| 1.3 论文研究的意义 | 第17-18页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 1.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第二章 辐射环境及辐照损伤理论 | 第20-40页 |
| 2.1 辐射环境概述 | 第20-24页 |
| 2.1.1 范艾伦辐射带（Van Allen Belt ） | 第21-23页 |
| 2.1.2 太阳宇宙射线（SCR） | 第23-24页 |
| 2.1.3 银河宇宙射线（GCR） | 第24页 |
| 2.2 辐照效应 | 第24-27页 |
| 2.2.1 辐照效应分类 | 第24-26页 |
| 2.2.2 辐照效应损伤模式 | 第26-27页 |
| 2.2.3 辐照效应地面模拟实验 | 第27页 |
| 2.3 辐射损伤物理机制 | 第27-38页 |
| 2.3.1 二体碰撞理论 | 第27-32页 |
| 2.3.2 原子势函数 | 第32-34页 |
| 2.3.3 碰撞微分截面 | 第34-35页 |
| 2.3.4 级联碰撞理论 | 第35-37页 |
| 2.3.5 辐照损伤峰 | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 中子-γ 辐照Geant4下的物理建模和程序设计 | 第40-54页 |
| 3.1 仿真软件Geant4简介及内核原理 | 第40-43页 |
| 3.1.1 关于Geant4内核的介绍 | 第40-41页 |
| 3.1.2 用Geant4搭建仿真平台 | 第41-43页 |
| 3.2 中子-γ 辐照的物理建模和程序设计 | 第43-52页 |
| 3.2.1 中子-γ 辐照物理过程建模 | 第44-46页 |
| 3.2.2 中子-γ 辐照探测器物理几何结构 | 第46-48页 |
| 3.2.3 中子-γ 辐照入射粒子源模型设计 | 第48-50页 |
| 3.2.4 中子-γ 辐照程序的整体设计 | 第50-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 中子-γ 辐照SiO_2/Si材料模拟仿真及分析 | 第54-82页 |
| 4.1 中子-γ 辐照Si材料仿真结果及分析 | 第54-69页 |
| 4.1.1 单一能谱中子和 γ 粒子辐照Si探测器仿真及分析 | 第55-61页 |
| 4.1.2 连续能谱中子辐照Si探测器仿真及分析 | 第61-69页 |
| 4.2 中子辐照SiO_2材料仿真结果及分析 | 第69-74页 |
| 4.3 中子辐照SOI材料仿真结果及分析 | 第74-80页 |
| 4.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 5.1 本文总结 | 第82-83页 |
| 5.2 未来展望 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 作者简介 | 第90-91页 |
