| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线 | 第12-13页 |
| 1.3 纳米材料基本性质 | 第13-17页 |
| 1.3.1 表面效应 | 第14-15页 |
| 1.3.2 量子尺寸效应 | 第15-16页 |
| 1.3.3 量子隧穿效应 | 第16-17页 |
| 1.3.4 库仑阻塞效应 | 第17页 |
| 1.4 Ⅲ-Ⅴ族纳米线光电子器件 | 第17-19页 |
| 1.5 本论文的研究工作 | 第19页 |
| 参考文献 | 第19-28页 |
| 第二章 Ⅲ-Ⅴ族纳米线生长、表征及器件制备技术 | 第28-50页 |
| 2.1 Ⅲ-Ⅴ族纳米线生长技术 | 第28-32页 |
| 2.1.1 金属有机化学气相沉淀技术(MOCVD) | 第28-29页 |
| 2.1.2 气-液-固(VLS)生长机理 | 第29-32页 |
| 2.2 纳米线表征技术 | 第32-38页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第32-33页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第33-34页 |
| 2.2.3 光致发光测试技术 | 第34-38页 |
| 2.3 纳米线器件制备工艺 | 第38-47页 |
| 2.3.1 平面加工技术 | 第38-43页 |
| 2.3.2 纳米线器件制备 | 第43-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 第三章 纳米线掺杂工艺探索 | 第50-73页 |
| 3.1 纳米线的表面态效应 | 第50-54页 |
| 3.1.1 表面态效应 | 第50-53页 |
| 3.1.2 表面态对纳米线掺杂的影响 | 第53-54页 |
| 3.2 GaAs纳米线n型掺杂 | 第54-61页 |
| 3.2.1 GaAs纳米线Si掺杂生长 | 第55-56页 |
| 3.2.2 GaAs纳米线Si掺杂浓度测定 | 第56-61页 |
| 3.3 GaAs纳米线p型掺杂 | 第61-66页 |
| 3.3.1 GaAs纳米线Zn掺杂生长 | 第62-63页 |
| 3.3.2 GaAs纳米线Zn掺杂浓度测定 | 第63-66页 |
| 3.4 GaAs纳米线轴向pn/pin结生长 | 第66-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 第四章 单根纳米线光探测器制备 | 第73-91页 |
| 4.1 纳米线的光导增益 | 第73-75页 |
| 4.2 单根GaAs纳米线光探测器 | 第75-79页 |
| 4.2.1 器件制备 | 第76-77页 |
| 4.2.2 测试结果分析 | 第77-79页 |
| 4.3 单根InAs纳米线光探测器 | 第79-86页 |
| 4.3.1 器件制备 | 第79-80页 |
| 4.3.2 测试结果分析 | 第80-86页 |
| 4.4 本章小结 | 第86页 |
| 参考文献 | 第86-91页 |
| 第五章 阵列纳米线太阳能电池制备 | 第91-103页 |
| 5.1 GaAs纳米线轴/径向pn结阵列二极管 | 第91-96页 |
| 5.1.1 阵列纳米线二极管制备 | 第92-94页 |
| 5.1.2 二极管性能测试及分析 | 第94-96页 |
| 5.2 GaAs纳米线径向pn结阵列太阳能电池 | 第96-99页 |
| 5.2.1 太阳能电池制备 | 第96-97页 |
| 5.2.2 太阳能电池测试结果分析 | 第97-99页 |
| 5.3 本章小结 | 第99页 |
| 参考文献 | 第99-103页 |
| 第六章 工作总结 | 第103-105页 |
| 附录 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106-108页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第108-109页 |