当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
半导体三极管(晶体管)
垂直结构有机薄膜晶体管的制备与气敏特性分析
隧穿效应薄膜晶体管制备与特性分析
大电流IGBT芯片的研究
IGBT智能功率模块的驱动保护研究
大功率IGBT模块开关特性测试平台研制及其应用
并五苯场效应晶体管的制备
高压IGBT功率模块瞬态直通模型与关键技术研究
共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的研究
干扰信号下IGBT的动态电磁特性研究与分析
非晶ZnTiSnO薄膜的制备及薄膜晶体管性能研究
LiMgZnO薄膜晶体管的研制
离子注入和退火对LTPS-TFT特性的影响研究
电极缓冲层对IGZO薄膜晶体管性能影响的研究
基于动态热敏电参数法的大容量IGBT模块结温在线提取原理和方法研究
ALD氧化锌薄膜晶体管制备与稳定性研究
高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计与实现
溶液法制备有机薄膜晶体管有源层的研究
GPNP晶体管电离/位移协同效应研究
高温环境下IGBT建模与结温预测方法研究
基于异质诱导生长的红荧烯薄膜晶体管的研究
低功耗无回跳逆导型IGBT的结构设计和特性研究
大功率IPM驱动保护芯片设计
IGBT专用驱动芯片中的BUCK型DC-DC转换器设计
3300V/400A SiC混合模块设计与热应力仿真研究
4500V/900A IGBT模块驱动保护电路设计
基于水性超薄ZrO2高κ介电层的薄膜晶体管的制备与研究
金属氧化物薄膜的低温溶液法制备及其在薄膜晶体管中的应用
高k金属氧化物薄膜及晶体管的制备与研究
基于In2O3纳米线晶体管的性能调控及其在闪存上的应用
以壳聚糖/氧化石墨烯复合固态电解质为栅介质的氧化物薄膜晶体管
基于量子点/低维纳米碳材料的光调制薄膜晶体管器件的研究
大功率IGBT模块高可靠驱动及通信技术研究
IGBT失效分析技术
IGBT功率模块并联技术研究
马达驱动高压功率芯片设计及IGBT的开启机理研究
溶胶凝胶法制备氧化物薄膜晶体管
射频/微波功率晶体管非线性参数化表征与建模
与HBT工艺兼容的四类新型三端负阻器件的研制与研究
有机薄膜场效应晶体管和高功率远结激光器的研究
InP基含锑(Sb)基区DHBT器件性能研究
半导体脉冲功率开关模型实验研究与特性评价
IGBT器件的低开关损耗驱动技术研究
3DK2222A型NPN双极晶体管位移损伤缺陷演化行为研究
氢对3DG110晶体管1 MeV电子辐照损伤的影响
基于闭环控制的IGBT并联均流方法研究及实现
静电感应晶体管的研究与仿真
IGBT机理建模及驱动问题研究
KH550-GO复合栅介质低压氧化物薄膜晶体管研究
高功率器件在长期恶劣环境下的可靠性分析和热阻退化
GaAs HBT单粒子效应的研究
上一页
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
下一页