| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的研究背景 | 第12-16页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.2.2 不同沟道材料的薄膜晶体管性能介绍 | 第13-14页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的应用 | 第14-16页 |
| 1.3 固态栅介质薄膜表征所需的仪器 | 第16-23页 |
| 1.3.1 扫描电镜 | 第17-18页 |
| 1.3.2 原子力显微镜 | 第18-20页 |
| 1.3.3 傅立叶变换红外光谱仪 | 第20-22页 |
| 1.3.4 阻抗分析仪 | 第22-23页 |
| 1.4 薄膜晶体管电学特性的测试系统 | 第23-24页 |
| 1.5 本论文的研究内容以及章节安排 | 第24-26页 |
| 第二章 薄膜晶体管的研究和制备 | 第26-44页 |
| 2.1 磁控溅射技术 | 第26-29页 |
| 2.1.1 磁控溅射的发展历程 | 第26-27页 |
| 2.1.2 磁控溅射仪器和溅射材料 | 第27页 |
| 2.1.3 磁控溅射技术原理及过程 | 第27-29页 |
| 2.1.4 磁控溅射技术特点 | 第29页 |
| 2.2 薄膜晶体管的工作原理与性能参数 | 第29-37页 |
| 2.2.1 TFT的结构 | 第29-31页 |
| 2.2.2 TFT的分类 | 第31页 |
| 2.2.3 TFT的工作原理 | 第31-33页 |
| 2.2.4 TFT的主要性能参数 | 第33-35页 |
| 2.2.5 双电层薄膜晶体管的调控机理 | 第35-37页 |
| 2.3 KH550固态栅介质薄膜晶体管的制备 | 第37-40页 |
| 2.3.1 实验材料与设备 | 第37页 |
| 2.3.2 KH550固态栅介质薄膜晶体管的加工工艺 | 第37-40页 |
| 2.4 KH550-GO固态栅介质薄膜晶体管的制备 | 第40-43页 |
| 2.4.1 实验材料与设备 | 第40页 |
| 2.4.2 KH550-GO固态栅介质薄膜晶体管的加工工艺 | 第40-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 基于KH550固态栅介质薄膜晶体管的性能研究 | 第44-53页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 实验试剂简介 | 第45页 |
| 3.2.1 KH550的特性介绍及用途 | 第45页 |
| 3.2.2 IZO特性介绍 | 第45页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第45-51页 |
| 3.3.1 KH550固态电解质表征 | 第45-48页 |
| 3.3.2 KH550固态栅介质TFT器件的电学性能分析 | 第48-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 KH550-GO固态栅介质薄膜晶体管的性能研究 | 第53-66页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 氧化石墨烯的特性及用途 | 第53-54页 |
| 4.3 KH550-GO固态栅介质的表征与测试 | 第54-59页 |
| 4.3.1 KH50、GO和KH550-GO的FTIR光谱分析 | 第54-57页 |
| 4.3.2 KH550-GO的阻抗频谱特性分析 | 第57-58页 |
| 4.3.3 KH550-GO的电容、相角随频率分析 | 第58-59页 |
| 4.4 KH550-GO薄膜晶体管的测试与讨论 | 第59-64页 |
| 4.4.1 TFT器件的电学性能测试 | 第59-61页 |
| 4.4.2 器件的抗干扰性能测试 | 第61-63页 |
| 4.4.3 器件的稳定性测试 | 第63-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文情况 | 第74页 |
