大功率IPM驱动保护芯片设计
摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4页 |
1 绪论 | 第7-11页 |
1.1 课题背景及意义 | 第7页 |
1.2 国内外发展现状 | 第7-9页 |
1.3 本课题主要研究内容及章节安排 | 第9-11页 |
1.3.1 本课题主要研究内容 | 第9页 |
1.3.2 本论文章节安排 | 第9-11页 |
2 IGBT结构及其工作原理 | 第11-15页 |
2.1 IGBT基本结构与工作原理 | 第11-12页 |
2.2 IGBT的电气特性 | 第12-15页 |
2.2.1 IGBT的静态特性 | 第12-13页 |
2.2.2 IGBT的开关特性 | 第13-15页 |
3 IGBT驱动与保护芯片系统设计 | 第15-21页 |
3.1 芯片功能设计 | 第15-17页 |
3.1.1 驱动方式设计 | 第15-16页 |
3.1.2 驱动模式设计 | 第16-17页 |
3.1.3 保护模式设计 | 第17页 |
3.2 芯片基本结构 | 第17-18页 |
3.3 驱动芯片应用 | 第18-21页 |
4 IGBT驱动保护芯片电路设计 | 第21-81页 |
4.1 驱动模块 | 第21-39页 |
4.1.1 传统驱动 | 第21-22页 |
4.1.2 多级电压驱动 | 第22-36页 |
4.1.3 LeE反馈驱动 | 第36-39页 |
4.1.4 驱动模式选择 | 第39页 |
4.2 保护模块 | 第39-59页 |
4.2.1 V_(CE)检测 | 第40-42页 |
4.2.2 L_(eE)检测 | 第42-43页 |
4.2.3 分流器检测 | 第43-54页 |
4.2.4 温度保护 | 第54-55页 |
4.2.5 故障锁存 | 第55-57页 |
4.2.6 驱动与保护模式选择 | 第57页 |
4.2.7 软关断部分 | 第57-59页 |
4.3 辅助模块 | 第59-77页 |
4.3.1 LDO设计 | 第59-62页 |
4.3.2 上电复位模块 | 第62-64页 |
4.3.3 10MHz振荡器 | 第64-71页 |
4.3.4 低频振荡器设计 | 第71-73页 |
4.3.5 高精度阈值电压产生 | 第73-77页 |
4.4 整体仿真 | 第77-81页 |
4.4.1 驱动功能仿真 | 第77-79页 |
4.4.2 保护功能仿真 | 第79-81页 |
5 总结与展望 | 第81-83页 |
5.1 工作总结 | 第81-82页 |
5.2 工作展望 | 第82-83页 |
致谢 | 第83-85页 |
参考文献 | 第85-87页 |