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大功率IPM驱动保护芯片设计

摘要第3-4页
abstract第4页
1 绪论第7-11页
    1.1 课题背景及意义第7页
    1.2 国内外发展现状第7-9页
    1.3 本课题主要研究内容及章节安排第9-11页
        1.3.1 本课题主要研究内容第9页
        1.3.2 本论文章节安排第9-11页
2 IGBT结构及其工作原理第11-15页
    2.1 IGBT基本结构与工作原理第11-12页
    2.2 IGBT的电气特性第12-15页
        2.2.1 IGBT的静态特性第12-13页
        2.2.2 IGBT的开关特性第13-15页
3 IGBT驱动与保护芯片系统设计第15-21页
    3.1 芯片功能设计第15-17页
        3.1.1 驱动方式设计第15-16页
        3.1.2 驱动模式设计第16-17页
        3.1.3 保护模式设计第17页
    3.2 芯片基本结构第17-18页
    3.3 驱动芯片应用第18-21页
4 IGBT驱动保护芯片电路设计第21-81页
    4.1 驱动模块第21-39页
        4.1.1 传统驱动第21-22页
        4.1.2 多级电压驱动第22-36页
        4.1.3 LeE反馈驱动第36-39页
        4.1.4 驱动模式选择第39页
    4.2 保护模块第39-59页
        4.2.1 V_(CE)检测第40-42页
        4.2.2 L_(eE)检测第42-43页
        4.2.3 分流器检测第43-54页
        4.2.4 温度保护第54-55页
        4.2.5 故障锁存第55-57页
        4.2.6 驱动与保护模式选择第57页
        4.2.7 软关断部分第57-59页
    4.3 辅助模块第59-77页
        4.3.1 LDO设计第59-62页
        4.3.2 上电复位模块第62-64页
        4.3.3 10MHz振荡器第64-71页
        4.3.4 低频振荡器设计第71-73页
        4.3.5 高精度阈值电压产生第73-77页
    4.4 整体仿真第77-81页
        4.4.1 驱动功能仿真第77-79页
        4.4.2 保护功能仿真第79-81页
5 总结与展望第81-83页
    5.1 工作总结第81-82页
    5.2 工作展望第82-83页
致谢第83-85页
参考文献第85-87页

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