| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 非晶氧化物薄膜晶体管的发展与研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 非晶氧化物薄膜晶体管的应用前景 | 第13-19页 |
| 1.4 氧化物半导体薄膜的制备方法 | 第19-22页 |
| 1.4.1 溶液法工艺 | 第19-20页 |
| 1.4.2 脉冲激光沉积工艺 | 第20-21页 |
| 1.4.3 射频磁控溅射工艺 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第22-23页 |
| 第二章 AZTO TFT 的结构和原理 | 第23-34页 |
| 2.1 氧化物 TFTs 的结构 | 第23-24页 |
| 2.2 AZTO TFT 的工作机理 | 第24-29页 |
| 2.2.1 氧化物薄膜晶体管的工作原理 | 第24-26页 |
| 2.2.2 IGZO 薄膜中载流子的传输机理 | 第26-28页 |
| 2.2.3 稀有元素替代理论分析 | 第28-29页 |
| 2.3 氧化物薄膜晶体管的主要性能参数 | 第29-34页 |
| 2.3.1 AOS TFT 基本电学参数 | 第29-32页 |
| 2.3.2 AOS TFT 稳定性 | 第32-34页 |
| 第三章 AL_2O_3沉积功率对 AZTO 薄膜及其 TFT 性能的影响 | 第34-42页 |
| 3.1 AZTO 薄膜及其薄膜晶体管的制备与测试 | 第34-37页 |
| 3.1.1 AZTO 薄膜及其薄膜晶体管的制备 | 第34-36页 |
| 3.1.2 AZTO 薄膜及其薄膜晶体管的测试 | 第36-37页 |
| 3.2 AL_2O_3沉积功率对 AZTO 薄膜特性的影响 | 第37-38页 |
| 3.3 AL_2O_3沉积功率对 AZTOTFT 性能的影响 | 第38-42页 |
| 第四章 有源层厚度对 AZTO TFT 性能的影响 | 第42-49页 |
| 4.1 器件的制备及结构 | 第42页 |
| 4.2 有源层厚度对 TFT 性能的影响 | 第42-46页 |
| 4.3 偏压稳定性研究 | 第46-49页 |
| 第五章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 作者简介及研究生期间科研成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
