第一篇 有机薄膜场效应晶体管 | 第10-61页 |
第一章 有机薄膜晶体管 | 第10-20页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 有机薄膜FET 的结构 | 第11-13页 |
1.3 有机薄膜FET 的工作原理 | 第13-14页 |
1.4 并五苯有机薄膜场效应晶体管 | 第14-16页 |
1.5 有机薄膜场效应晶体管的用途 | 第16页 |
1.6 有机薄膜场效应晶体管存在的问题和今后的展望 | 第16-17页 |
1.7 本论文的主要研究内容 | 第17-18页 |
本章参考文献 | 第18-20页 |
第二章 并五苯有机薄膜的生长 | 第20-45页 |
2.1 低聚物有机半导体的性质 | 第20-22页 |
2.2 并五苯晶体的结构和性质 | 第22页 |
2.3 水平气相沉积法生长并五苯晶体薄膜 | 第22-36页 |
2.3.1 水平气相沉积系统的设计 | 第23-24页 |
2.3.2 并五苯晶体薄膜生长的动力学 | 第24-26页 |
2.3.3 并五苯晶体薄膜的生长 | 第26-36页 |
2.4 真空蒸镀法 | 第36-40页 |
2.5 本章小结 | 第40-41页 |
本章参考文献 | 第41-45页 |
第三章 并五苯有机薄膜场效应晶体管的制备及特性 | 第45-57页 |
3.1 顶接触并五苯有机薄膜场效应晶体管的制备及特性 | 第45-51页 |
3.1.1 聚酰亚胺为绝缘层的顶接触有机薄膜场效应晶体管 | 第45-48页 |
3.1.2 氮化硅为绝缘层的顶接触有机薄膜场效应晶体管 | 第48-51页 |
3.2 底接触并五苯有机薄膜场效应晶体管的制备及特性 | 第51-54页 |
3.3 本章小结 | 第54-55页 |
本章参考文献 | 第55-57页 |
第四章 并五苯有机薄膜晶体管的可靠性研究 | 第57-60页 |
本章参考文献 | 第59-60页 |
结论 1 | 第60-61页 |
第二篇 高功率远结激光器 | 第61-108页 |
第一章 高功率量子阱半导体激光器 | 第61-67页 |
1.1 半导体激光器的发展概述 | 第61-62页 |
1.2 高功率 AlGaAs | 第62-64页 |
1.3 半导体激光器的应用 | 第64-65页 |
1.4 本论文的主要工作 | 第65-66页 |
本章参考文献 | 第66-67页 |
第二章 大功率 AlGaAs | 第67-74页 |
2.1 大功率AlGaAs | 第67-68页 |
2.1.1 有源层的设计 | 第67页 |
2.1.2 波导层的设计 | 第67-68页 |
2.1.3 包层的设计 | 第68页 |
2.2 大功率AlGaAs | 第68-70页 |
2.3 器件的制作工艺流程 | 第70-73页 |
2.3.1 工艺流程 | 第70页 |
2.3.2 工艺说明 | 第70-73页 |
本章参考文献 | 第73-74页 |
第三章 大功率 AlGaAs | 第74-86页 |
3.1 大功率 AlGaAs | 第74-76页 |
3.2 大功率 AlGaAs | 第76-78页 |
3.3 大功率 AlGaAs | 第78-83页 |
3.4 本章小结 | 第83-84页 |
本章参考文献 | 第84-86页 |
第四章 电导数技术用于大功率单量子阱远结半导体激光器的可靠性研究 | 第86-94页 |
4.1 电导数测量原理及方法 | 第86-88页 |
4.2 半导体激光器电导数曲线及参数与器件可靠性关系 | 第88-90页 |
4.2.1 结特征参量m | 第88-89页 |
4.2.2 结电压饱和深度h | 第89页 |
4.2.3 截距b | 第89-90页 |
4.3 高功率单量子阱远结半导体激光器的电导数测试 | 第90-91页 |
4.4 本章小结 | 第91-92页 |
本章参考文献 | 第92-94页 |
第五章 小波分析用于大功率单量子阱远结半导体激光器的可靠性研究 | 第94-108页 |
5.1 小波分析的简介 | 第94-95页 |
5.2 小波分析函数 | 第95-98页 |
5.2.1 dwt | 第95-96页 |
5.2.2 wfiters | 第96页 |
5.2.3 detcoef | 第96-97页 |
5.2.4 appcoef | 第97页 |
5.2.5 upcoef | 第97-98页 |
5.3 小波分析用于大功率半导体激光器的可靠性研究 | 第98-105页 |
5.4 本章小结 | 第105-107页 |
结论 | 第107-108页 |
致谢 | 第108-109页 |
攻读博士学位期间发表的论文 | 第109-110页 |
博士期间参与的项目 | 第110-111页 |
附录 | 第111-112页 |
摘要 1 | 第112-113页 |
摘要 2 | 第113-116页 |
Abstract 1 | 第116页 |
Abstract 2 | 第118-120页 |