静电感应晶体管的研究与仿真
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 选题背景 | 第9-10页 |
| 1.2 课题研究目的与意义 | 第10-11页 |
| 1.3 本文设计的主要内容 | 第11-13页 |
| 2 SIT结构演变和原理分析 | 第13-18页 |
| 2.1 静电感应器件的种类和结构 | 第13-14页 |
| 2.2 SIT的结构种类 | 第14-16页 |
| 2.3 SIT的工作基本原理 | 第16-17页 |
| 2.4 本章小结 | 第17-18页 |
| 3 SIT仿真模型建立 | 第18-22页 |
| 3.1 Silvaco中的模型和参数的选取 | 第18-19页 |
| 3.1.1 Silvaco介绍 | 第18页 |
| 3.1.2 模拟方法及基本方程 | 第18-19页 |
| 3.2 SIT仿真基本模型和研究方法 | 第19-21页 |
| 3.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 4 基于硅衬底SIT工艺仿真及参数优化 | 第22-38页 |
| 4.1 网格定义 | 第22-23页 |
| 4.2 一次氧化 | 第23页 |
| 4.3 SiO_2刻蚀 | 第23-24页 |
| 4.4 栅区掺杂 | 第24-32页 |
| 4.4.1 预淀积对栅极区掺杂的影响 | 第25-27页 |
| 4.4.2 推进对栅极区掺杂的影响 | 第27-28页 |
| 4.4.3 离子注入栅掺杂 | 第28-30页 |
| 4.4.4 离子注入对栅极区掺杂的影响 | 第30-32页 |
| 4.5 源区掺杂 | 第32-34页 |
| 4.6 漏区掺杂 | 第34-36页 |
| 4.7 静电感应晶体管制作工艺参数优化 | 第36-37页 |
| 4.8 静电感应晶体管制作工艺流程 | 第37页 |
| 4.9 本章小结 | 第37-38页 |
| 5 基于硅衬底SIT器件仿真及性能分析 | 第38-57页 |
| 5.1 类五极管特性 | 第38-39页 |
| 5.2 类三极管特性 | 第39-43页 |
| 5.3 势垒高度对栅极电压的依赖关系 | 第43-45页 |
| 5.4 势垒高度对漏极电压的依赖关系 | 第45-47页 |
| 5.5 沟道参数对直流特性的影响 | 第47-51页 |
| 5.5.1 沟道长度 | 第48-50页 |
| 5.5.2 沟道宽度 | 第50-51页 |
| 5.6 源极区参数对直流特性的影响 | 第51-52页 |
| 5.7 漂移层参数对直流特性的影响 | 第52-56页 |
| 5.7.1 漂移层厚度 | 第53-54页 |
| 5.7.2 漂移层浓度 | 第54-56页 |
| 5.8 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第62页 |
