| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1.1 薄膜晶体管的研究背景及意义 | 第7-8页 |
| 1.2 薄膜晶体管的应用 | 第8-11页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管在LCD中的应用 | 第8-10页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管在OLED中的应用 | 第10页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管在传感器中的应用 | 第10-11页 |
| 1.3 本文主要研究内容和章节安排 | 第11-12页 |
| 第二章 薄膜晶体管的制备和研究 | 第12-25页 |
| 2.1 TFT的结构和工作原理 | 第12-15页 |
| 2.1.1 TFT基本结构 | 第12-13页 |
| 2.1.2 TFT的工作原理 | 第13-15页 |
| 2.2 TFT的主要性能参数 | 第15-17页 |
| 2.3 TFT的制备方法 | 第17-22页 |
| 2.3.1 磁控溅射法 | 第17-19页 |
| 2.3.2 脉冲激光沉积 | 第19-20页 |
| 2.3.3 分子束外延 | 第20页 |
| 2.3.4 溶胶凝胶法 | 第20-21页 |
| 2.3.5 热蒸发 | 第21-22页 |
| 2.4 薄膜的测试与表征方法 | 第22-25页 |
| 2.4.1 X射线衍射（XRD） | 第22页 |
| 2.4.2 原子力显微镜（AFM） | 第22-23页 |
| 2.4.3 紫外-可见光分光光度计（UV-VIS） | 第23-25页 |
| 第三章 水性溶胶凝胶法制备氧化锆介电层薄膜 | 第25-36页 |
| 3.1 高介电常数材料 | 第25-27页 |
| 3.1.1 传统SiO_2材料问题 | 第25-26页 |
| 3.1.2 高介电常数材料概述 | 第26-27页 |
| 3.2 ZrO_2材料介绍 | 第27页 |
| 3.3 ZrO_2薄膜的制备 | 第27-29页 |
| 3.4 薄膜的性能测试 | 第29-34页 |
| 3.4.1 ZrO_2薄膜透过率分析 | 第29-30页 |
| 3.4.2 ZrO_2薄膜的XRD分析 | 第30-31页 |
| 3.4.3 ZrO_2薄膜的表面形貌分析 | 第31-32页 |
| 3.4.4 ZrO_2薄膜的X射线光电子能谱（XPS）分析 | 第32-33页 |
| 3.4.5 ZrO_2薄膜的电学性质分析 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 In_2O_3 TFT和NiO_x TFT的制备及性能测试 | 第36-45页 |
| 4.1 In_2O_3 TFT的制备与表征 | 第36-39页 |
| 4.1.1 In_2O_3材料的概述 | 第36页 |
| 4.1.2 In_2O_3薄膜的制备 | 第36页 |
| 4.1.3 In_2O_3/ZrO_2 TFTs的性能分析 | 第36-39页 |
| 4.2 NiO_x TFT的制备与表征 | 第39-43页 |
| 4.2.1 NiO_x材料的概述 | 第39-40页 |
| 4.2.2 NiO_x薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 4.2.3 NiO_x薄膜的性能分析 | 第41-42页 |
| 4.2.4 NiO_x/ZrO_2 TFT的性能分析 | 第42-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
