| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状及分析 | 第10-14页 |
| 1.2.1 IGBT温度特性研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 IGBT建模方法研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.3 IGBT结温预测研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 课题主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 IGBT等效电路模型 | 第16-38页 |
| 2.1 IGBT内部等效电路 | 第16-17页 |
| 2.2 IGBT静态等效电路模型 | 第17-21页 |
| 2.2.1 常温下静态模型参数的提取 | 第18-20页 |
| 2.2.2 IGBT静态模型仿真分析 | 第20-21页 |
| 2.3 IGBT动态等效电路模型 | 第21-27页 |
| 2.3.1 非线性电容模型 | 第21-25页 |
| 2.3.2 IGBT动态模型仿真分析 | 第25-27页 |
| 2.4 IGBT温度模型 | 第27-37页 |
| 2.4.1 半导体材料的温度模型 | 第27-29页 |
| 2.4.2 IGBT通态电阻的温度模型 | 第29页 |
| 2.4.3 晶体管电流增益的温度模型 | 第29-31页 |
| 2.4.4 IGBT阈值电压的温度模型 | 第31-32页 |
| 2.4.5 IGBT集电极电流的温度模型 | 第32-33页 |
| 2.4.6 IGBT饱和压降的温度模型 | 第33-34页 |
| 2.4.7 IGBT温度模型仿真分析 | 第34-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 IGBT损耗模型 | 第38-48页 |
| 3.1 IGBT开关过程中电压电流数学模型 | 第38-44页 |
| 3.1.1 IGBT开通过程波形拟合 | 第38-41页 |
| 3.1.2 IGBT关断过程波形拟合 | 第41-44页 |
| 3.2 IGBT开关损耗温度模型 | 第44-46页 |
| 3.2.1 常温下IGBT开关损耗模型 | 第44页 |
| 3.2.2 IGBT开关损耗温度模型 | 第44-46页 |
| 3.3 IGBT导通损耗温度模型 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 IGBT热-电耦合模型 | 第48-61页 |
| 4.1 IGBT的Foster热网络模型 | 第48-50页 |
| 4.2 IGBT封装内部 3D结构模型及热阻抗的提取 | 第50-54页 |
| 4.3 IGBT热-电耦合模型 | 第54-60页 |
| 4.3.1 IGBT热-电耦合模型的建立 | 第54-58页 |
| 4.3.2 结温影响因素仿真分析 | 第58-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 基于热敏参数法的IGBT结温预测 | 第61-73页 |
| 5.1 Buck变换器参数设计及实验平台的构建 | 第61-64页 |
| 5.1.1 Buck变换器参数设计 | 第61-63页 |
| 5.1.2 实验平台的构建 | 第63-64页 |
| 5.2 IGBT结温-饱和压降规则表的建立 | 第64-65页 |
| 5.3 IGBT结温预测与影响因素分析 | 第65-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读学位期间的学术成果 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |