| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-30页 |
| 1.1 一维纳米材料概述 | 第8-14页 |
| 1.1.1 一维纳米材料简介 | 第8页 |
| 1.1.2 一维纳米材料的特性 | 第8-9页 |
| 1.1.3 一维纳米器件的应用 | 第9-14页 |
| 1.2 场效应晶体管介绍 | 第14-22页 |
| 1.2.1 场效应晶体管的原理 | 第14-17页 |
| 1.2.2 场效应晶体管性能的主要评价参数 | 第17-19页 |
| 1.2.3 场效应晶体管的阈值电压调控手段 | 第19-20页 |
| 1.2.4 场效应晶体管的发展历程 | 第20-22页 |
| 1.3 浮栅式闪存介绍 | 第22-28页 |
| 1.3.1 浮栅式闪存的原理 | 第22-23页 |
| 1.3.2 浮栅式闪存性能的主要评价参数 | 第23-24页 |
| 1.3.3 浮栅式闪存的发展历程 | 第24-28页 |
| 1.4 本文选题依据及内容概要 | 第28-30页 |
| 1.4.1 本文选题依据 | 第28-29页 |
| 1.4.2 本文内容概要 | 第29-30页 |
| 第二章 CVD法制备In_2O_3纳米线 | 第30-38页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 实验部分 | 第30-32页 |
| 2.2.1 CVD法合成In_2O_3纳米线的生长机理 | 第30-31页 |
| 2.2.2 In_2O_3纳米线的制备 | 第31-32页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第32-37页 |
| 2.3.1 表面形貌表征 | 第32页 |
| 2.3.2 X射线衍射表征 | 第32-33页 |
| 2.3.3 制备的其他In_2O_3微纳结构 | 第33-35页 |
| 2.3.4 结果讨论与机理解释 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 栅极电介质离子注入法调控In_2O_3纳米线晶体管的阈值特性 | 第38-49页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39-42页 |
| 3.2.1 衬底的离子注入 | 第39-40页 |
| 3.2.2 硅片上Mark标记的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.3 In_2O_3纳米线晶体管的制备 | 第41-42页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第42-48页 |
| 3.3.1 电学性能测试 | 第42-45页 |
| 3.3.2 X射线光电子能谱表征 | 第45-46页 |
| 3.3.3 表面接触电势差测试 | 第46-47页 |
| 3.3.4 结果讨论 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 基于In_2O_3纳米线晶体管的底栅型闪存应用 | 第49-57页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 实验部分 | 第50-52页 |
| 4.2.1 In_2O_3纳米线闪存结构 | 第50页 |
| 4.2.2 In_2O_3纳米线闪存的制备 | 第50-52页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第52-56页 |
| 4.3.1 器件的光学显微图像 | 第52页 |
| 4.3.2 性能测试 | 第52-55页 |
| 4.3.3 结果讨论 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 全文总结 | 第57页 |
| 5.2 展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 研究生期间科研成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
