| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 IGBT的研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 国外研究进展 | 第9-13页 |
| 1.3 国内研究进展 | 第13-14页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2 常规RC-IGBT工作机理的仿真分析 | 第16-40页 |
| 2.1 RC-IGBT的元胞结构及其发展历程 | 第16-18页 |
| 2.2 常规RC-IGBT导通过程的机理分析 | 第18-20页 |
| 2.3 TCAD仿真中的模型和参数介绍 | 第20-23页 |
| 2.4 常规RC-IGBT的静态特性 | 第23-36页 |
| 2.4.1 常规RC-IGBT的导通特性 | 第23-31页 |
| 2.4.2 背面尺寸对RC-IGBT的导通特性的影响 | 第31-36页 |
| 2.5 常规RC-IGBT的动态特性 | 第36-38页 |
| 2.5.1 常规RC-IGBT的关断特性 | 第36-37页 |
| 2.5.2 常规RC-IGBT的反向恢复特性 | 第37-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 3 低反向恢复功耗型RC-IGBT的设计 | 第40-54页 |
| 3.1 LE-RC-IGBT的元胞结构 | 第40-42页 |
| 3.2 LE-RC-IGBT在IGBT工作模式下的特性 | 第42-48页 |
| 3.2.1 LE-RC-IGBT的正向导通特性 | 第42-44页 |
| 3.2.2 LE-RC-IGBT的阻断特性 | 第44-47页 |
| 3.2.3 LE-RC-IGBT的短路特性 | 第47页 |
| 3.2.4 LE-RC-IGBT的开关特性 | 第47-48页 |
| 3.3 LE-RC-IGBT在FWD工作模式下的特性 | 第48-53页 |
| 3.3.1 LE-RC-IGBT的反向导通特性 | 第48-52页 |
| 3.3.2 LE-RC-IGBT的反向恢复特性 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 4 沟槽隔离型RC-IGBT的设计与优化 | 第54-64页 |
| 4.1 沟槽隔离型RC-IGBT的元胞结构 | 第54-56页 |
| 4.2 沟槽隔离型RC-IGBT的静态特性 | 第56-61页 |
| 4.2.1 沟槽隔离型RC-IGBT的导通特性 | 第56-61页 |
| 4.2.2 沟槽隔离型RC-IGBT的阻断特性 | 第61页 |
| 4.3 沟槽隔离型RC-IGBT的动态特性 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 5 结论 | 第64-66页 |
| 5.1 结论 | 第64页 |
| 5.2 后期工作展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 附录 | 第72页 |
