| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 有机异质诱导生长在有机薄膜晶体管中的应用 | 第8-10页 |
| 1.2 有机薄膜晶体管在有机发光二极管中的应用 | 第10-12页 |
| 1.3 有机薄膜晶体管驱动的有机发光显示器件结构 | 第12-13页 |
| 1.4 有机异质结结构薄膜研究的意义 | 第13-14页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 有机薄膜晶体管的基本原理及制备方法 | 第15-23页 |
| 2.1 有机薄膜晶体管的结构 | 第15-16页 |
| 2.2 有机薄膜晶体管的工作原理 | 第16-19页 |
| 2.3 异质诱导生长的方法及器件制备实验的介绍 | 第19-21页 |
| 2.3.1 实验材料与制备设备 | 第19页 |
| 2.3.2 薄膜的异质诱导生长及器件的制备 | 第19-21页 |
| 2.4 样品表征及测试设备 | 第21-23页 |
| 第三章 红荧烯薄膜生长及性能的研究 | 第23-40页 |
| 3.1 在SiO_2上红荧烯薄膜的生长及性能的研究 | 第23-30页 |
| 3.1.1 沉积速率对SiO_2上红荧烯薄膜生长特性的影响 | 第23-25页 |
| 3.1.2 衬底温度对SiO_2上红荧烯薄膜生长特性的影响 | 第25-26页 |
| 3.1.3 退火对SiO_2上红荧烯薄膜稳定性的影响 | 第26-27页 |
| 3.1.4 空气对SiO_2上红荧烯薄膜稳定性的影响 | 第27-29页 |
| 3.1.5 红荧烯薄膜在SiO_2界面的生长及亚稳定机制 | 第29-30页 |
| 3.2 在异质诱导层上红荧烯薄膜的生长及性能的研究 | 第30-38页 |
| 3.2.1 不同厚度诱导层p-6P对红荧烯薄膜生长特性的影响 | 第30-32页 |
| 3.2.2 不同厚度诱导层Cu Pc对红荧烯薄膜生长特性的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.3 不同衬底温度对Cu Pc和红荧烯薄膜生长特性的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.4 退火对Cu Pc和红荧烯薄膜稳定性的影响 | 第36-38页 |
| 3.3 p-6P/Cu Pc异质诱导红荧烯薄膜平面外X射线衍射 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 异质诱导生长红荧烯薄膜晶体管性能的研究 | 第40-47页 |
| 4.1 不同厚度诱导层p-6P制备p-6P/Cu Pc/Rub薄膜晶体管的电性能 | 第40-41页 |
| 4.2 不同厚度诱导层Cu Pc制备p-6P/Cu Pc/Rub薄膜晶体管的电性能 | 第41-42页 |
| 4.3 不同衬底温度制备p-6P/Cu Pc/Rub薄膜晶体管的电性能 | 第42-43页 |
| 4.4 退火对p-6P/Cu Pc/Rub薄膜晶体管性能的影响 | 第43-45页 |
| 4.5 p-6P/Cu Pc/Rub薄膜晶体管的光敏特性 | 第45-46页 |
| 4.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第47-48页 |
| 5.2 展望 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第53页 |
