半导体脉冲功率开关模型实验研究与特性评价
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 脉冲功率技术 | 第9-11页 |
| 1.2 脉冲功率开关 | 第11页 |
| 1.3 半导体脉冲功率器件 | 第11-13页 |
| 1.4 半导体器件模型 | 第13-15页 |
| 1.5 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.6 论文主要内容 | 第16-18页 |
| 2 半导体脉冲功率开关工作原理 | 第18-28页 |
| 2.1 RSD基本原理 | 第18-23页 |
| 2.2 晶闸管基本原理 | 第23-25页 |
| 2.3 IGBT基本原理 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 半导体脉冲功率器件建模以及特性仿真 | 第28-55页 |
| 3.1 器件物理模型 | 第28-34页 |
| 3.2 数值模型基本原理 | 第34-36页 |
| 3.3 器件二维数值模型建模 | 第36-40页 |
| 3.4 器件特性仿真以及研究对比 | 第40-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 4 半导体脉冲功率器件开通特性实验研究对比 | 第55-70页 |
| 4.1 半导体脉冲功率器件性能指数 (FOM) | 第55-57页 |
| 4.2 半导体脉冲功率器件触发特性研究对比 | 第57-63页 |
| 4.3 半导体脉冲功率器件开通特性研究对比 | 第63-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 5 结论与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 结论 | 第70-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78页 |
