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IGBT器件的低开关损耗驱动技术研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第8-16页
    1.1 论文研究背景和意义第8-10页
    1.2 IGBT器件发展概况第10-11页
    1.3 IGBT驱动技术的研究现状第11-14页
    1.4 课题主要研究内容第14-16页
2 IGBT工作原理及电学特性第16-23页
    2.1 IGBT 的基本结构第16-17页
    2.2 IGBT的工作原理第17-18页
    2.3 IGBT的电学特性第18-22页
    2.4 本章小结第22-23页
3 低功耗驱动技术研究与总体方案设计第23-31页
    3.1 IGBT驱动电路的基本要求第23-26页
    3.2 IGBT低功耗驱动电路整体方案设计第26-29页
    3.3 本章小结第29-31页
4 驱动电路的子电路设计与仿真第31-59页
    4.1 输入接口电路PWM_LevelShift模块第31-34页
    4.2 驱动Driver模块第34-42页
    4.3 Comparator模块第42-51页
    4.4 Delay模块第51-58页
    4.5 本章小结第58-59页
5 IGBT驱动器的整体仿真验证第59-72页
    5.1 驱动器整体架构与版图介绍第59-61页
    5.2 Primary线路整体仿真测试第61-65页
    5.3 Feedback线路整体仿真测试第65-70页
    5.4 成品芯片测试结果分析第70-71页
    5.5 本章小结第71-72页
6 全文总结与展望第72-74页
    6.1 工作总结第72-73页
    6.2 展望第73-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-79页
附录 攻读学位期间发表的论文第79页

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