| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 位移辐照缺陷研究进展 | 第10-14页 |
| 1.2.1 空位复合缺陷 | 第11-13页 |
| 1.2.2 间隙原子复合缺陷 | 第13-14页 |
| 1.3 双极晶体管辐照位移损伤 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 试验器件及分析测试方法 | 第17-23页 |
| 2.1 试验器件 | 第17页 |
| 2.2 辐照试验方法 | 第17-19页 |
| 2.3 退火试验方法 | 第19-20页 |
| 2.4 电性能测试方法 | 第20-21页 |
| 2.5 深能级缺陷分析方法 | 第21-23页 |
| 第3章 3DK2222A晶体管硅离子辐照位移效应研究 | 第23-33页 |
| 3.1 Gummel特性曲线变化规律 | 第23-25页 |
| 3.2 电流增益退化规律 | 第25-28页 |
| 3.3 漏电流随位移吸收剂量的变化规律 | 第28-30页 |
| 3.4 深能级缺陷分析 | 第30-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第4章 3DK2222A晶体管硅离子辐照后退火效应研究 | 第33-48页 |
| 4.1 40 Me V Si离子辐照后的退火效应研究 | 第33-38页 |
| 4.1.1 40 Me V Si离子辐照后电性能的退火规律 | 第33-35页 |
| 4.1.2 40 Me V Si离子辐照后位移缺陷的演化研究 | 第35-38页 |
| 4.2 24 Me V Si离子辐照后的退火效应研究 | 第38-41页 |
| 4.2.1 24 Me V Si离子辐照后电性能的退火规律 | 第38-39页 |
| 4.2.2 24 Me V Si离子辐照后位移缺陷的演化研究 | 第39-41页 |
| 4.3 10 Me V Si离子辐照后的退火效应研究 | 第41-44页 |
| 4.3.1 10 Me V Si离子辐照后电性能的退火规律 | 第41-42页 |
| 4.3.2 10 Me V Si离子辐照后位移缺陷的演化研究 | 第42-44页 |
| 4.4 Si离子辐照产生的位移缺陷对双极晶体管电性能影响 | 第44-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 3DK2222A晶体管氧/碳离子辐照位移效应及退火效应研究 | 第48-61页 |
| 5.1 O离子辐照晶体管的位移效应及退火研究 | 第48-52页 |
| 5.1.1 O离子辐照双极晶体管的位移损伤效应 | 第48-50页 |
| 5.1.2 O离子辐照后双极晶体管的退火效应研究 | 第50-52页 |
| 5.2 C离子辐照双极晶体管的位移损伤效应及缺陷研究 | 第52-56页 |
| 5.2.1 C离子辐照双极晶体管的位移损伤效应 | 第52-54页 |
| 5.2.2 C离子辐照后双极晶体管的退火效应研究 | 第54-56页 |
| 5.3 不同源辐照双极晶体管的位移损伤效应和缺陷对比 | 第56-59页 |
| 5.3.1 不同辐照源损伤能力比较 | 第56-57页 |
| 5.3.2 不同辐照源的深能级瞬态谱(DLTS)分析 | 第57-58页 |
| 5.3.3 位移缺陷对于双极晶体管电性能的影响 | 第58-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
