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3DK2222A型NPN双极晶体管位移损伤缺陷演化行为研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第1章 绪论第9-17页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第9-10页
    1.2 位移辐照缺陷研究进展第10-14页
        1.2.1 空位复合缺陷第11-13页
        1.2.2 间隙原子复合缺陷第13-14页
    1.3 双极晶体管辐照位移损伤第14-15页
    1.4 本文的主要研究内容第15-17页
第2章 试验器件及分析测试方法第17-23页
    2.1 试验器件第17页
    2.2 辐照试验方法第17-19页
    2.3 退火试验方法第19-20页
    2.4 电性能测试方法第20-21页
    2.5 深能级缺陷分析方法第21-23页
第3章 3DK2222A晶体管硅离子辐照位移效应研究第23-33页
    3.1 Gummel特性曲线变化规律第23-25页
    3.2 电流增益退化规律第25-28页
    3.3 漏电流随位移吸收剂量的变化规律第28-30页
    3.4 深能级缺陷分析第30-31页
    3.5 本章小结第31-33页
第4章 3DK2222A晶体管硅离子辐照后退火效应研究第33-48页
    4.1 40 Me V Si离子辐照后的退火效应研究第33-38页
        4.1.1 40 Me V Si离子辐照后电性能的退火规律第33-35页
        4.1.2 40 Me V Si离子辐照后位移缺陷的演化研究第35-38页
    4.2 24 Me V Si离子辐照后的退火效应研究第38-41页
        4.2.1 24 Me V Si离子辐照后电性能的退火规律第38-39页
        4.2.2 24 Me V Si离子辐照后位移缺陷的演化研究第39-41页
    4.3 10 Me V Si离子辐照后的退火效应研究第41-44页
        4.3.1 10 Me V Si离子辐照后电性能的退火规律第41-42页
        4.3.2 10 Me V Si离子辐照后位移缺陷的演化研究第42-44页
    4.4 Si离子辐照产生的位移缺陷对双极晶体管电性能影响第44-47页
    4.5 本章小结第47-48页
第5章 3DK2222A晶体管氧/碳离子辐照位移效应及退火效应研究第48-61页
    5.1 O离子辐照晶体管的位移效应及退火研究第48-52页
        5.1.1 O离子辐照双极晶体管的位移损伤效应第48-50页
        5.1.2 O离子辐照后双极晶体管的退火效应研究第50-52页
    5.2 C离子辐照双极晶体管的位移损伤效应及缺陷研究第52-56页
        5.2.1 C离子辐照双极晶体管的位移损伤效应第52-54页
        5.2.2 C离子辐照后双极晶体管的退火效应研究第54-56页
    5.3 不同源辐照双极晶体管的位移损伤效应和缺陷对比第56-59页
        5.3.1 不同辐照源损伤能力比较第56-57页
        5.3.2 不同辐照源的深能级瞬态谱(DLTS)分析第57-58页
        5.3.3 位移缺陷对于双极晶体管电性能的影响第58-59页
    5.4 本章小结第59-61页
结论第61-62页
参考文献第62-67页
致谢第67页

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