| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第11页 |
| 1.2 薄膜晶体管概况 | 第11-16页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管主要类型 | 第12-14页 |
| 1.2.2 在LCD中的应用 | 第14-15页 |
| 1.2.3 在OLED中的应用 | 第15-16页 |
| 1.2.4 在柔性基底上的应用 | 第16页 |
| 1.3 氧化锌薄膜晶体管发展概况 | 第16-19页 |
| 1.4 存在主要问题 | 第19页 |
| 1.5 本课题的主要工作 | 第19-20页 |
| 第2章 氧化锌薄膜制备 | 第20-28页 |
| 2.1 氧化锌基本性质 | 第20页 |
| 2.2 氧化锌的应用 | 第20-22页 |
| 2.2.1 氧化锌在光电中的应用 | 第21-22页 |
| 2.2.2 氧化锌在压电中的应用 | 第22页 |
| 2.2.3 氧化锌纳米结构的传感器 | 第22页 |
| 2.3 氧化锌薄膜的制备 | 第22-25页 |
| 2.3.1 氧化锌薄膜制备方法 | 第23-24页 |
| 2.3.2 氧化锌样品的制备 | 第24-25页 |
| 2.4 氧化锌薄膜的表征 | 第25-27页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD)对ZnO薄膜结构的分析 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 垂直结构氧化锌薄膜晶体管原理 | 第28-34页 |
| 3.1 金属-半导体接触 | 第28-31页 |
| 3.1.1 肖特基接触 | 第28-30页 |
| 3.1.2 欧姆接触 | 第30-31页 |
| 3.2 垂直结构薄膜晶体管工作机理 | 第31-32页 |
| 3.3 晶体管的性能表征 | 第32-33页 |
| 3.3.1 载流子迁移率 | 第32-33页 |
| 3.3.2 阈值电压 | 第33页 |
| 3.3.3 电流开关比 | 第33页 |
| 3.3.4 亚阈陡度 | 第33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 垂直结构氧化锌薄膜晶体管制备及工作特性分析 | 第34-45页 |
| 4.1 垂直结构氧化锌薄膜晶体管制备 | 第34-36页 |
| 4.1.1 玻璃基板的清洗 | 第35页 |
| 4.1.2 漏源电极要求及制备工艺 | 第35页 |
| 4.1.3 栅电极要求及制备工艺 | 第35页 |
| 4.1.4 有源层要求及制备工艺 | 第35-36页 |
| 4.2 氧化锌薄膜晶体管性能测试 | 第36-37页 |
| 4.3 工艺参数对晶体管性能的影响 | 第37-41页 |
| 4.3.1 衬底温度对晶体管性能影响 | 第37-40页 |
| 4.3.2 溅射时间对晶体管性能影响 | 第40-41页 |
| 4.4 肖特基特性分析 | 第41-44页 |
| 4.4.1 电流-电压特性分析 | 第42-43页 |
| 4.4.2 电容-电压特性分析 | 第43-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 薄膜晶体管的性能参数及隧穿效应分析 | 第45-53页 |
| 5.1 晶体管性能表征参数计算 | 第45-49页 |
| 5.1.1 晶体管跨导 | 第45-46页 |
| 5.1.2 晶体管输出电阻 | 第46-47页 |
| 5.1.3 晶体管电压放大倍数 | 第47-48页 |
| 5.1.4 阈值电压 | 第48-49页 |
| 5.1.5 载流子迁移率 | 第49页 |
| 5.2 隧穿电流-电压分析 | 第49-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |