| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8页 |
| 1.2 双极器件的位移损伤研究 | 第8-11页 |
| 1.3 双极器件的电离效应研究 | 第11-16页 |
| 1.3.1 Shockley-Read-Hall复合 | 第12-14页 |
| 1.3.2 低剂量率损伤增加效应 | 第14-16页 |
| 1.4 位移损伤与电离损伤的协同效应 | 第16-20页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 试验器件及分析测试方法 | 第21-27页 |
| 2.1 试验器件 | 第21页 |
| 2.2 辐照试验方法 | 第21-23页 |
| 2.3 电性能测试方法 | 第23-24页 |
| 2.4 栅扫描测试方法 | 第24-27页 |
| 第3章 GPNP型双极晶体管的位移效应研究 | 第27-32页 |
| 3.1 晶体管经40MEVSI离子辐照后电性能变化规律 | 第27-29页 |
| 3.1.1 Gummel曲线变化规律 | 第27-28页 |
| 3.1.2 基极电流与集电极电流变化规律 | 第28-29页 |
| 3.2 晶体管经40MEVSI离子辐射后的栅扫描分析 | 第29-31页 |
| 3.2.1 三种注量Si离子辐射前后栅扫描曲线对比分析 | 第29-30页 |
| 3.2.2 电离缺陷及少子寿命的提取分析 | 第30-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 GPNP型双极晶体管的电离效应研究 | 第32-48页 |
| 4.1 高剂量率γ射线辐照GPNP晶体管的电离效应研究 | 第32-37页 |
| 4.1.1 高剂量率下的电性能变化规律 | 第32-34页 |
| 4.1.2 高剂量率下的栅扫描分析 | 第34-37页 |
| 4.1.3 高剂量率下的电离辐射效应分析 | 第37页 |
| 4.2 低剂量率γ射线辐照GPNP晶体管的电离效应研究 | 第37-43页 |
| 4.2.1 低剂量率下的电性能变化规律 | 第37-40页 |
| 4.2.2 低剂量率下的栅扫描分析 | 第40-43页 |
| 4.2.3 低剂量率下的电离辐射效应分析 | 第43页 |
| 4.3 剂量率对晶体管电离效应的影响 | 第43-47页 |
| 4.3.1 剂量率对电性能变化的影响 | 第43-45页 |
| 4.3.2 剂量率对栅扫描分析结果的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.3 剂量率效应分析 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 GPNP型晶体管的电离/位移协同效应研究 | 第48-69页 |
| 5.1 晶体管的电性能变化规律 | 第48-59页 |
| 5.1.1 Si离子/高剂量率 γ 射线顺序辐照的影响 | 第48-52页 |
| 5.1.2 Si离子/低剂量率 γ 射线顺序辐照的影响 | 第52-57页 |
| 5.1.3 剂量率对位移/电离顺序辐照效应的影响 | 第57-59页 |
| 5.2 位移缺陷对氧化物电荷的影响 | 第59-62页 |
| 5.2.1 Si离子/高剂量率 γ 射线顺序辐照的影响 | 第59-60页 |
| 5.2.2 Si离子/低剂量率 γ 射线顺序辐照的影响 | 第60-61页 |
| 5.2.3 剂量率对位移/电离顺序辐照效应的影响 | 第61-62页 |
| 5.3 位移缺陷对界面态的影响 | 第62-64页 |
| 5.3.1 Si离子/高剂量率 γ 射线顺序辐照的影响 | 第62-63页 |
| 5.3.2 Si离子/低剂量率 γ 射线顺序辐照的影响 | 第63-64页 |
| 5.3.3 剂量率对位移/电离顺序辐照的影响 | 第64页 |
| 5.4 电离辐射增强位移缺陷退火 | 第64-67页 |
| 5.4.1 Si离子/高剂量率 γ 射线顺序辐照的影响 | 第65-66页 |
| 5.4.2 Si离子/低剂量率 γ 射线顺序辐照的影响 | 第66页 |
| 5.4.3 剂量率对位移缺陷退火的影响 | 第66-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
