| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 氧化物半导体的发展与研究现状 | 第13-17页 |
| 1.2.1 透明导电氧化物半导体简介 | 第13页 |
| 1.2.2 氧化锌基透明导电氧化物半导体 | 第13-15页 |
| 1.2.3 非晶 IGZO 薄膜晶体管的基本性质 | 第15-17页 |
| 1.3 非晶 IGZO 薄膜晶体管的发展及应用前景 | 第17-21页 |
| 1.3.1 非晶 IGZO 薄膜晶体管的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.3.2 非晶 IGZO 薄膜晶体管的应用前景 | 第18-21页 |
| 1.4 非晶 IGZO 薄膜晶体管的构成材料 | 第21-23页 |
| 1.4.1 绝缘层材料 | 第21-23页 |
| 1.4.2 电极材料 | 第23页 |
| 1.5 器件主要制备工艺 | 第23-27页 |
| 1.5.1 绝缘层的制备工艺 | 第23-24页 |
| 1.5.2 制备有源层的相关工艺 | 第24-27页 |
| 1.5.3 退火 | 第27页 |
| 1.5.4 低温退火 | 第27页 |
| 1.6 本论文的主要工作 | 第27-29页 |
| 第二章 非晶 IGZO 薄膜晶体管的工作原理及制备 | 第29-42页 |
| 2.1 非晶 IGZO 薄膜晶体管的结构 | 第29-30页 |
| 2.1.1 非晶 IGZO 薄膜晶体管的结构分类 | 第29页 |
| 2.1.2 底栅顶接触结构的优点 | 第29-30页 |
| 2.2 非晶 IGZO 薄膜晶体管的工作原理 | 第30-33页 |
| 2.2.1 有源层内部载流子的来源 | 第30页 |
| 2.2.2 载流子的传输机制 | 第30-31页 |
| 2.2.3 TFT 的工作原理 | 第31-33页 |
| 2.3 非晶 IGZO 薄膜晶体管的主要性能参数 | 第33-35页 |
| 2.3.1 基本电学参数 | 第33-34页 |
| 2.3.2 稳定性 | 第34-35页 |
| 2.4 非晶 IGZO 薄膜晶体管的制备流程 | 第35-37页 |
| 2.4.1 器件的制备过程 | 第35-36页 |
| 2.4.2 测试设备与过程 | 第36-37页 |
| 2.5 非晶 IGZO 薄膜晶体管优化 | 第37-42页 |
| 2.5.1 有源层厚度优化 | 第37-39页 |
| 2.5.2 退火温度优化 | 第39-42页 |
| 第三章 电极缓冲层对非晶 IGZO 薄膜晶体管性能的影响 | 第42-50页 |
| 3.1 非晶 IGZO 薄膜晶体管的接触电阻 | 第42-43页 |
| 3.1.1 接触电阻 | 第42页 |
| 3.1.2 接触氧化 | 第42-43页 |
| 3.2 未退火 IGZO 作为缓冲层的 IGZO 薄膜晶体管性能研究 | 第43-46页 |
| 3.2.1 器件的制备 | 第43页 |
| 3.2.2 结果讨论与分析 | 第43-45页 |
| 3.2.3 样品的表面形貌采用原子力显微镜(AFM)进行分析 | 第45-46页 |
| 3.3 缓冲层厚度的优化 | 第46-50页 |
| 3.3.1 器件的制备 | 第46页 |
| 3.3.2 结果讨论与分析 | 第46-48页 |
| 3.3.3 样品的表面形貌采用原子力显微镜(AFM)进行分析 | 第48-49页 |
| 3.3.4 小结 | 第49-50页 |
| 第四章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-60页 |
| 作者简介及研究生期间科研成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
