| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 氧化物薄膜晶体管的基本概念 | 第10-14页 |
| 1.1.1 氧化物薄膜晶体管的历史 | 第10-11页 |
| 1.1.2 薄膜晶体管的基本理论 | 第11-13页 |
| 1.1.3 薄膜晶体管的相关概念与公式 | 第13-14页 |
| 1.2 双电层现象及其在薄膜晶体管中的应用 | 第14-16页 |
| 1.2.1 双电层现象 | 第14-15页 |
| 1.2.2 氧化石墨烯与壳聚糖复合栅介质 | 第15-16页 |
| 1.3 氧化物薄膜晶体管的应用 | 第16-18页 |
| 1.4 本文的研究背景和主要内容 | 第18-21页 |
| 1.4.1 研究背景 | 第18-19页 |
| 1.4.2 存在的问题 | 第19-20页 |
| 1.4.3 本文的研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 氧化物薄膜晶体管的基本制备工艺 | 第21-26页 |
| 2.1 溶液旋涂法制膜技术 | 第21-22页 |
| 2.2 等离子体化学气相沉积技术 | 第22-23页 |
| 2.3 射频磁控溅射技术 | 第23-24页 |
| 2.4 真空热蒸镀技术 | 第24-26页 |
| 第3章 以壳聚糖/氧化石墨烯复合固态电解质为栅介质的TFT器件 | 第26-41页 |
| 3.1 薄膜晶体管的结构 | 第26页 |
| 3.2 氧化石墨烯与壳聚糖复合栅介质薄膜晶体管的制备过程 | 第26-32页 |
| 3.2.1 配制复合栅介质溶液 | 第26-27页 |
| 3.2.2 清洗玻璃衬底以及掩膜版 | 第27-29页 |
| 3.2.3 适用旋涂匀胶机旋涂复合栅介质膜 | 第29-30页 |
| 3.2.4 射频磁控溅射沉积沟道与电极 | 第30-32页 |
| 3.3 器件的测试以及相关讨论 | 第32-40页 |
| 3.3.1 薄膜晶体管的测试技术 | 第32-34页 |
| 3.3.2 测试结果及相关讨论 | 第34-40页 |
| 3.4 小结 | 第40-41页 |
| 第4章 以氧化石墨烯与壳聚糖复合固态电解质为栅介质的神经形态晶体管 | 第41-46页 |
| 4.1 以复合固态电解质为栅介质的神经形态晶体管 | 第41页 |
| 4.2 测试结果及相关讨论 | 第41-45页 |
| 4.3 小结 | 第45-46页 |
| 第5章 以氧化石墨烯与壳聚糖复合电解质为栅介质的柔性衬底TFT器件 | 第46-52页 |
| 5.1 复合栅介质柔性衬底TFT器件 | 第46页 |
| 5.2 器件的制备 | 第46-48页 |
| 5.2.1 栅介质膜的制备 | 第46-47页 |
| 5.2.2 射频磁控溅射沉积沟道和电极 | 第47-48页 |
| 5.3 器件的测试结果以及相关讨论 | 第48-51页 |
| 5.4 小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
