| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 薄膜晶体管的研究背景 | 第7-10页 |
| 1.1.1 薄膜晶体管的发展 | 第7-8页 |
| 1.1.2 薄膜晶体管的应用 | 第8-10页 |
| 1.2 本文主演研究内容与章节安排 | 第10-11页 |
| 第二章 TFT工作原理与薄膜制备表征方法 | 第11-21页 |
| 2.1 TFT的结构与工作原理 | 第11-15页 |
| 2.1.1 TFT的基本结构 | 第11-12页 |
| 2.1.2 TFT的工作原理 | 第12-14页 |
| 2.1.3 TFT主要性能参数 | 第14-15页 |
| 2.2 薄膜制备方法 | 第15-18页 |
| 2.2.1. 磁控溅射 | 第16页 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积 | 第16-17页 |
| 2.2.3 热蒸发 | 第17页 |
| 2.2.4 溶胶凝胶法 | 第17-18页 |
| 2.2.5 静电纺丝 | 第18页 |
| 2.3 薄膜表征方法 | 第18-21页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD） | 第19页 |
| 2.3.2 原子力显微镜（AFM） | 第19-20页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第20-21页 |
| 第三章 高介电常数（高k）材料 | 第21-27页 |
| 3.1 选择高k材料的必要性 | 第21-22页 |
| 3.2 选择高k材料的要求 | 第22-24页 |
| 3.2.1 介电层与Si衬底的界面质量 | 第22-23页 |
| 3.2.2 薄膜结晶性 | 第23页 |
| 3.2.3 与栅极和薄膜制备工艺的兼容性 | 第23-24页 |
| 3.2.4 高禁带宽度 | 第24页 |
| 3.2.5 适当的k值 | 第24页 |
| 3.3 高k材料的研究现状 | 第24-27页 |
| 3.3.1 主族金属氧化物 | 第24-25页 |
| 3.3.2 稀土金属氧化物 | 第25页 |
| 3.3.3 过渡金属元素 | 第25-26页 |
| 3.3.4 复合氧化物和堆栈结构 | 第26-27页 |
| 第四章 基于高k-MgO介电材料的In_2O_3薄膜晶体管 | 第27-37页 |
| 4.1 高k-MgO介电材料 | 第27-33页 |
| 4.1.1 MgO薄膜概述 | 第27页 |
| 4.1.2 MgO介电层薄膜的制备 | 第27-29页 |
| 4.1.3 薄膜表征及电学性质测试 | 第29-33页 |
| 4.2 In_2O_3-TFT的制备和表征 | 第33-36页 |
| 4.2.1 In_2O_3材料 | 第33页 |
| 4.2.2 In_2O_3-TFT的制备 | 第33-34页 |
| 4.2.3 In_2O_3-TFT性能测试 | 第34-36页 |
| 4.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 静电纺丝制备基于高k TiO_2/Al_2O_3双介电层的In_2O_3 TFT | 第37-45页 |
| 5.1 双介电层薄膜的制备及性能测试 | 第37-41页 |
| 5.1.1 双介电层薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 5.1.2 薄膜性质测量 | 第38-41页 |
| 5.2 静电纺丝制备In_2O_3 TFT | 第41-44页 |
| 5.2.1 In_2O_3 TFT的制备 | 第41-42页 |
| 5.2.2 In_2O_3 TFT性质分析 | 第42-44页 |
| 5.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |