| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.2 电力电子器件发展沿革与趋势 | 第11-13页 |
| 1.3 芯片失效分析方案 | 第13-16页 |
| 1.3.1 静态特性曲线的测量 | 第13页 |
| 1.3.2 热成像分析与失效点验证 | 第13-14页 |
| 1.3.3 芯片制备与SEM上机检测 | 第14-16页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 IGBT失效分析 | 第17-63页 |
| 2.1 栅极漏电流失效分析 | 第17-24页 |
| 2.1.1 MOS栅的工作原理 | 第17-20页 |
| 2.1.2 栅极I-V曲线分析 | 第20-21页 |
| 2.1.3 Thermal Image失效点热分析 | 第21-22页 |
| 2.1.4 失效原因分析与改进 | 第22-23页 |
| 2.1.5 栅极漏电流失效小结 | 第23-24页 |
| 2.2 开通过电流失效分析 | 第24-32页 |
| 2.2.1 I-V特性曲线分析 | 第24-25页 |
| 2.2.2 失效点验证 | 第25-26页 |
| 2.2.3 SEM分析 | 第26-27页 |
| 2.2.4 失效建模 | 第27-30页 |
| 2.2.5 分析结果与改进 | 第30-32页 |
| 2.2.6 开通过电流失效小结 | 第32页 |
| 2.3 关断过电流失效分析 | 第32-40页 |
| 2.3.1 I-V特性曲线分析 | 第32-33页 |
| 2.3.2 失效点验证 | 第33-34页 |
| 2.3.3 SEM解剖分析 | 第34-35页 |
| 2.3.4 关断原理比较 | 第35-38页 |
| 2.3.5 关断失效建模 | 第38-40页 |
| 2.3.6 过电流失效小结 | 第40页 |
| 2.4 稳态过电流失效 | 第40-44页 |
| 2.4.1 失效芯片外观 | 第40-41页 |
| 2.4.2 SEM图像分析 | 第41-42页 |
| 2.4.3 失效原因分析与改进 | 第42页 |
| 2.4.4 实验验证 | 第42-43页 |
| 2.4.5 稳态过电流失效小结 | 第43-44页 |
| 2.5 过电压失效分析 | 第44-63页 |
| 2.5.1 失效处SEM分析 | 第44-45页 |
| 2.5.2 过电压失效原因分析 | 第45-47页 |
| 2.5.3 过电压失效实验 | 第47-50页 |
| 2.5.4 失效点位置分析 | 第50页 |
| 2.5.5 负阻分析与阻值计算 | 第50-51页 |
| 2.5.6 Saber仿真验证 | 第51-57页 |
| 2.5.7 Saber收敛性分析 | 第57-61页 |
| 2.5.8 Saber仿真调整 | 第61-62页 |
| 2.5.9 过电压失效小结 | 第62-63页 |
| 第3章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 3.1 本文主要工作 | 第63页 |
| 3.2 今后工作展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 作者简历 | 第68-69页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第69页 |