| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-19页 |
| 1.1 薄膜晶体管的历史背景简介 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的分类 | 第11-13页 |
| 1.2.1 硅基薄膜晶体管 | 第12页 |
| 1.2.2 有机薄膜晶体管 | 第12页 |
| 1.2.3 氧化物半导体薄膜晶体管 | 第12-13页 |
| 1.3 薄膜晶体管的结构 | 第13-14页 |
| 1.4 薄膜晶体管的原理 | 第14-16页 |
| 1.5 薄膜晶体管的电学性能参数 | 第16-18页 |
| 1.6 选题意义及研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 退火温度对LiMgZnO-TFT性能的影响 | 第19-25页 |
| 2.1 器件制备 | 第19-20页 |
| 2.2 结果与分析 | 第20-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 沟道长度对LiMgZnO-TFT性能的影响 | 第25-30页 |
| 3.1 器件制备 | 第25页 |
| 3.2 结果与分析 | 第25-29页 |
| 3.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 有源层厚度对LiMgZnO-TFT性能的影响 | 第30-35页 |
| 4.1 器件制备 | 第30-31页 |
| 4.2 结果与分析 | 第31-34页 |
| 4.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第五章 氧气流量对LiMgZnO-TFT性能的影响 | 第35-40页 |
| 5.1 器件制备 | 第35页 |
| 5.2 结果与分析 | 第35-39页 |
| 5.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第六章 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-47页 |
| 作者简历 | 第47-49页 |
| 学位论文数据集 | 第49页 |
