| 第一章 绪论 | 第8-31页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 负阻器件的分类与历史 | 第10-13页 |
| 1.3 HBT概念和设计基础 | 第13-22页 |
| 1.3.1 HBT的理论基础 | 第13-17页 |
| 1.3.2 HBT的设计规则 | 第17-18页 |
| 1.3.3 HBT的材料系统 | 第18-21页 |
| 1.3.4 HBT的典型结构 | 第21-22页 |
| 1.4 分子束外延生长技术 | 第22-25页 |
| 1.5 器件模拟与ATLAS软件 | 第25-29页 |
| 1.6 本论文的研究工作概述 | 第29-31页 |
| 第二章 超薄基区负阻HBT的研制与模拟分析 | 第31-54页 |
| 2.1 研究背景 | 第31-34页 |
| 2.2 超薄基区HBT材料结构设计 | 第34-35页 |
| 2.3 超薄基区HBT的器件结构和版图设计 | 第35-36页 |
| 2.4 超薄基区HBT工艺流程设计 | 第36-41页 |
| 2.4.1 InGaP/GaAs超薄基区HBT工艺流程设计 | 第36-38页 |
| 2.4.2 AlGaAs/GaAs超薄基区负阻HBT工艺流程 | 第38页 |
| 2.4.3 对关键工艺的说明 | 第38-41页 |
| 2.4.3.1 湿法选择性腐蚀工艺 | 第38-40页 |
| 2.4.3.2 腐蚀监测工艺 | 第40-41页 |
| 2.4.3.3 合金条件的把握 | 第41页 |
| 2.5 超薄基区HBT的性能测试 | 第41-47页 |
| 2.5.1 InGaP/GaAs 超薄基区HBT的I-V特性 | 第42-46页 |
| 2.5.1.1 电压控制型负阻特性 | 第42-44页 |
| 2.5.1.2 随VC变化的电压控制型负阻特性 | 第44-45页 |
| 2.5.1.3 电流控制型负阻特性 | 第45-46页 |
| 2.5.2 AlGaAs/GaAs超薄基区HBT的I-V特性 | 第46-47页 |
| 2.6 超薄基区负阻HBT的器件模拟与负阻机制分析 | 第47-50页 |
| 2.7 对负阻特性产生机制的分析与解释 | 第50-54页 |
| 2.7.1 超薄基区产生负阻的物理机制 | 第50-51页 |
| 2.7.2 对恒定V_B和恒定I_B两种模式负阻的解释 | 第51-52页 |
| 2.7.3 对低H_(FE)器件负阻特性沿V_C分散现象的解释 | 第52页 |
| 2.7.4 I_P随V_C增加而增大现象产生的原因 | 第52-54页 |
| 第三章 双基区负阻HBT的设计与研制 | 第54-73页 |
| 3.1 SI基平面双基区晶体管的研究进展 | 第54-56页 |
| 3.2 基区负阻HBT的材料结构、器件结构和版图设计 | 第56-59页 |
| 3.2.1 材料结构设计 | 第56-57页 |
| 3.2.2 器件结构设计 | 第57-58页 |
| 3.2.3 版图设计 | 第58-59页 |
| 3.3 双基区负阻HBT的工艺流水 | 第59-61页 |
| 3.4 双基区负阻HBT的性能测试与分析 | 第61-68页 |
| 3.4.1 常规HBT的I-V特性 | 第61-62页 |
| 3.4.2 双基区负阻HBT的电压控制型负阻特性 | 第62-65页 |
| 3.4.3 双基区负阻HBT的可变电压控制型负阻特性 | 第65-67页 |
| 3.4.4 双基区负阻HBT的光电负阻特性 | 第67-68页 |
| 3.5 双基区负HBT的器件模拟 | 第68-70页 |
| 3.6 关于双基区负阻HBT特性的分析与讨论 | 第70-73页 |
| 3.6.1 电压控制型负阻的表现形式多样化分析 | 第70-71页 |
| 3.6.2 负阻与V_C的关系分析 | 第71页 |
| 3.6.3 光控负阻特性产生原因分析 | 第71-73页 |
| 第四章 电阻栅负阻HBT的研制与理论分析 | 第73-85页 |
| 4.1 电阻栅负阻HBT的研究背景 | 第73-74页 |
| 4.2 电阻栅负阻HBT的器件结构和版图设计 | 第74-76页 |
| 4.3 器件工艺流水 | 第76-77页 |
| 4.4 器件性能测试与分析 | 第77-79页 |
| 4.5 器件模拟和负阻机制分析 | 第79-81页 |
| 4.6 器件物理模型的建立 | 第81-85页 |
| 第五章 化合物S型双向负阻晶体管的研制 | 第85-94页 |
| 5.1 双向负阻晶体管的工作机理分析 | 第85-88页 |
| 5.2 化合物S型双向负阻晶体管的设计 | 第88-90页 |
| 5.3 化合物S型双向负阻晶体管的工艺流水 | 第90-91页 |
| 5.4 化合物S型双向负阻晶体管的性能测试与分析 | 第91-94页 |
| 第六章 研究成果总结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-105页 |
| 攻读博士学位期间发表论文情况 | 第105-106页 |
| 参加科研情况说明 | 第106-107页 |
| 附录 | 第107-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
