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马达驱动高压功率芯片设计及IGBT的开启机理研究

致谢第4-5页
摘要第5-6页
Abstract第6-7页
缩略词表第8-9页
目录第9-11页
1 绪论第11-24页
    1.1 功率半导体器件及功率集成电路的发展状况第11-16页
    1.2 功率半导体器件及功率集成电路的分类第16-20页
        1.2.1 功率分立器件第16-18页
        1.2.2 功率集成电路第18-20页
    1.3 国内外研究状况第20-22页
    1.4 本论文主要工作及章节安排第22-24页
        1.4.1 本论文主要工作第22-23页
        1.4.2 本论文章节安排第23-24页
2 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关特性研究第24-40页
    2.1 IGB'T的器件结构与工作原理简介第24-28页
        2.1.1 IGBT的发展历史第24-25页
        2.1.2 IGBT的器件结构第25-26页
        2.1.3 IGBT的工作原理第26-27页
        2.1.4 IGBT的闩锁效应第27页
        2.1.5 IGBT的雪崩击穿第27-28页
        2.1.6 IGBT的安全工作区第28页
    2.2 IGBT的开关特性研究第28-38页
        2.2.1 IGBT的开启特性第29-37页
        2.2.2 IGBT的关断特性第37-38页
        2.2.3 IGBT的开关功率损耗第38页
    2.3 本章小结第38-40页
3 基于BCD工艺的三相马达驱动高压功率芯片设计第40-80页
    3.1 三相马达驱动芯片简介第40-41页
    3.2 三相马达驱动芯片的电路设计第41-56页
        3.2.1 Hall输入放大器第42-44页
        3.2.2 6V电压调制器第44-46页
        3.2.3 三角波发生器第46-47页
        3.2.4 高边驱动电路第47-49页
        3.2.5 过流保护电路第49-51页
        3.2.6 过温保护电路第51-54页
        3.2.7 欠压保护电路第54-56页
    3.3 三相马达驱动芯片的核心器件设计与仿真第56-73页
        3.3.1 部分核心器件的设计与仿真结果第57-64页
        3.3.2 上下管LDMOS的设计与仿真第64-73页
    3.4 三相马达驱动芯片的工艺流程设计第73-78页
        3.4.1 隔离方式的选择第73-74页
        3.4.2 马达驱动芯片的完整工艺流程第74-78页
    3.5 本章小结第78-80页
4 总结与展望第80-82页
    4.1 总结第80-81页
    4.2 展望第81-82页
参考文献第82-86页
作者简历及在学期间所取得的科研成果第86页
    作者简历第86页
    科研经历第86页
    发表和录用的文章及专利第86页

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