马达驱动高压功率芯片设计及IGBT的开启机理研究
致谢 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
缩略词表 | 第8-9页 |
目录 | 第9-11页 |
1 绪论 | 第11-24页 |
1.1 功率半导体器件及功率集成电路的发展状况 | 第11-16页 |
1.2 功率半导体器件及功率集成电路的分类 | 第16-20页 |
1.2.1 功率分立器件 | 第16-18页 |
1.2.2 功率集成电路 | 第18-20页 |
1.3 国内外研究状况 | 第20-22页 |
1.4 本论文主要工作及章节安排 | 第22-24页 |
1.4.1 本论文主要工作 | 第22-23页 |
1.4.2 本论文章节安排 | 第23-24页 |
2 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关特性研究 | 第24-40页 |
2.1 IGB'T的器件结构与工作原理简介 | 第24-28页 |
2.1.1 IGBT的发展历史 | 第24-25页 |
2.1.2 IGBT的器件结构 | 第25-26页 |
2.1.3 IGBT的工作原理 | 第26-27页 |
2.1.4 IGBT的闩锁效应 | 第27页 |
2.1.5 IGBT的雪崩击穿 | 第27-28页 |
2.1.6 IGBT的安全工作区 | 第28页 |
2.2 IGBT的开关特性研究 | 第28-38页 |
2.2.1 IGBT的开启特性 | 第29-37页 |
2.2.2 IGBT的关断特性 | 第37-38页 |
2.2.3 IGBT的开关功率损耗 | 第38页 |
2.3 本章小结 | 第38-40页 |
3 基于BCD工艺的三相马达驱动高压功率芯片设计 | 第40-80页 |
3.1 三相马达驱动芯片简介 | 第40-41页 |
3.2 三相马达驱动芯片的电路设计 | 第41-56页 |
3.2.1 Hall输入放大器 | 第42-44页 |
3.2.2 6V电压调制器 | 第44-46页 |
3.2.3 三角波发生器 | 第46-47页 |
3.2.4 高边驱动电路 | 第47-49页 |
3.2.5 过流保护电路 | 第49-51页 |
3.2.6 过温保护电路 | 第51-54页 |
3.2.7 欠压保护电路 | 第54-56页 |
3.3 三相马达驱动芯片的核心器件设计与仿真 | 第56-73页 |
3.3.1 部分核心器件的设计与仿真结果 | 第57-64页 |
3.3.2 上下管LDMOS的设计与仿真 | 第64-73页 |
3.4 三相马达驱动芯片的工艺流程设计 | 第73-78页 |
3.4.1 隔离方式的选择 | 第73-74页 |
3.4.2 马达驱动芯片的完整工艺流程 | 第74-78页 |
3.5 本章小结 | 第78-80页 |
4 总结与展望 | 第80-82页 |
4.1 总结 | 第80-81页 |
4.2 展望 | 第81-82页 |
参考文献 | 第82-86页 |
作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第86页 |
作者简历 | 第86页 |
科研经历 | 第86页 |
发表和录用的文章及专利 | 第86页 |