| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 序 | 第8-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 1 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的TFT的结构与特性 | 第11-16页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管(TFT)的结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 TFT与MOSFET比较 | 第12-13页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管(TFT)的特性 | 第13-16页 |
| 1.3 TFT主要特性参数 | 第16-19页 |
| 1.3.1 等效载流子迁移率 | 第17页 |
| 1.3.2 阈值电压 | 第17-18页 |
| 1.3.3 阈值摆幅 | 第18-19页 |
| 1.3.4 电流开关比 | 第19页 |
| 1.3.5 TFT关态电流 | 第19页 |
| 1.4 TFT在AM-OLED中的应用 | 第19-22页 |
| 1.4.1 AM-OLED驱动方式 | 第20-21页 |
| 1.4.2 2T1C像素驱动电路的驱动原理 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文研究的主要内容 | 第22-23页 |
| 2 TFT阵列制造工艺以及分析表征技术 | 第23-33页 |
| 2.1 等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术 | 第23-27页 |
| 2.1.1 PECVD原理和特点 | 第23-24页 |
| 2.1.2 PECVD沉积氧化层 | 第24-27页 |
| 2.2 磁控溅射 | 第27-28页 |
| 2.3 离子注入技术 | 第28-30页 |
| 2.4 表面与薄膜分析检测技术 | 第30-33页 |
| 3 离子注入对LTPS-TFT关态电流的影响研究 | 第33-44页 |
| 3.1 AM-OLED中TFT基板的制造工艺 | 第33-38页 |
| 3.1.1 清洗技术 | 第33-34页 |
| 3.1.2 真空溅射镀膜 | 第34页 |
| 3.1.3 LTPS多晶硅成膜技术 | 第34-35页 |
| 3.1.4 等离子增强化学气相沉积(PECVD) | 第35-36页 |
| 3.1.5 光刻 | 第36-37页 |
| 3.1.6 刻蚀 | 第37-38页 |
| 3.2 离子注入能量和RF功率对LTPS-TFT关态电流影响 | 第38-44页 |
| 3.2.1 器件制备 | 第39页 |
| 3.2.2 器件性能测试方法 | 第39-41页 |
| 3.2.3 离子注入能量对LTPS-TFT关态电流的影响 | 第41-43页 |
| 3.2.4 结果分析 | 第43-44页 |
| 4 退火对LTPS-TFT性能的影响研究 | 第44-51页 |
| 4.1 去氢退火对TFT特性的影响 | 第44-48页 |
| 4.1.1 去氢退火后LTPS-TFT电学特性 | 第45-47页 |
| 4.1.2 结果分析 | 第47-48页 |
| 4.2 后氢化退火对LTPS TFT特性影响 | 第48-51页 |
| 4.2.1 氢化后TFT电学特性 | 第49-50页 |
| 4.2.2 结果分析 | 第50-51页 |
| 5 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 作者简历 | 第54-56页 |
| 学位论文数据集 | 第56页 |