| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 单粒子效应的研究 | 第15-25页 |
| 1.1 空间辐射环境 | 第15-19页 |
| 1.2 GaAs HBT器件单粒子效应研究的必要性 | 第19-20页 |
| 1.3 脉冲激光模拟手段的可行性及其特点 | 第20-22页 |
| 1.4 国内外单粒子效应脉冲激光实验研究历史回顾 | 第22-23页 |
| 1.5 本论文内容安排 | 第23-25页 |
| 第二章 脉冲激光模拟单粒子效应实验的基本机理 | 第25-37页 |
| 2.1 重离子效应的物理过程 | 第25-27页 |
| 2.2 GaAs HBT中单粒子瞬态形成机理 | 第27-30页 |
| 2.3 单粒子效应对电路的影响 | 第30-32页 |
| 2.4 脉冲激光单粒子效应的物理过程 | 第32-33页 |
| 2.5 脉冲激光单粒子效应实验定量表述 | 第33-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-37页 |
| 第三章 单粒子效应的脉冲激光实验装置与方法 | 第37-43页 |
| 3.1 单粒子效应的激光脉冲实验装置 | 第37-38页 |
| 3.2 脉冲激光模拟单粒子效应实验方法 | 第38-41页 |
| 3.2.1 芯片预处理 | 第39页 |
| 3.2.2 脉冲激光参数的选择 | 第39-40页 |
| 3.2.3 激光聚焦深度调节 | 第40-41页 |
| 3.3 实验流程 | 第41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 GaAs HBT脉冲激光模拟单粒子实验结果与分析 | 第43-61页 |
| 4.1 GaAs HBT实验过程介绍 | 第43-45页 |
| 4.2 实验结果与分析 | 第45-55页 |
| 4.2.1 单粒子瞬态脉冲波形随反偏电压的变化 | 第45-50页 |
| 4.2.2 单粒子脉冲瞬态波形随脉冲激光能量值的变化 | 第50-53页 |
| 4.2.3 脉冲激光能量和反偏电压对收集电荷的影响 | 第53-55页 |
| 4.3 GaAs D触发器数字电路单粒子效应仿真 | 第55-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结束语 | 第61-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 作者简介 | 第69-70页 |
