| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-49页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 光电探测器件的结构与分类 | 第14-17页 |
| 1.3 低维纳米材料性质、制备以及在光电探测器件中的应用 | 第17-26页 |
| 1.4 光调制晶体管技术及其现状 | 第26-39页 |
| 1.5 本论文的选题依据和结构安排 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-49页 |
| 第二章 量子点在光电探测以及传统IGZO TFT中的应用 | 第49-73页 |
| 2.1 激子以及混合光激发材料中的电荷转移 | 第49-54页 |
| 2.2 IGZO与量子点混合材料的制备及其对器件性能的影响 | 第54-61页 |
| 2.3 光电转换特性测试 | 第61-69页 |
| 2.4 本章小结 | 第69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 第三章 低维纳米碳材料与量子点纳米复合薄膜在光电探测器件中的应用 | 第73-103页 |
| 3.1 低维纳米碳材料与量子点的制备 | 第73-79页 |
| 3.2 低维纳米碳材料与量子点的表征 | 第79-84页 |
| 3.3 典型二极管器件以及量子点/RGO光电二极管 | 第84-91页 |
| 3.4 光电探测器件的性能测试 | 第91-98页 |
| 3.5 本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-103页 |
| 第四章 基于低维纳米碳材料的晶体管制备与研究 | 第103-121页 |
| 4.1 石墨烯晶体管的物理机制 | 第103-108页 |
| 4.2 基于石墨烯的晶体管器件制备与表征 | 第108-111页 |
| 4.3 基于GNM的TFT器件 | 第111-117页 |
| 4.4 本章小结 | 第117页 |
| 参考文献 | 第117-121页 |
| 第五章 基于量子点/GNM纳米复合薄膜的光调制晶体管器件 | 第121-141页 |
| 5.1 量子点与石墨烯间的动态转移机制 | 第121-122页 |
| 5.2 量子点/石墨烯晶体管器件的制备与表征 | 第122-127页 |
| 5.3 晶体管中量子点/GNM载流子转移模型的构建与模拟 | 第127-130页 |
| 5.4 基于量子点与石墨烯以及GNM的光调制TFT静态光电特性的测试 | 第130-134页 |
| 5.5 量子点/GNM界面的光载流子转移物理机制研究和分析 | 第134-135页 |
| 5.6 量子点/GNM光调制TFT器件的动态光脉冲信号测试 | 第135-138页 |
| 5.7 本章小结 | 第138页 |
| 参考文献 | 第138-141页 |
| 第六章 总结和展望 | 第141-144页 |
| 6.1 研究内容总结 | 第141-142页 |
| 6.2 进一步研究的展望 | 第142-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 作者简介 | 第145-146页 |
