高压IGBT功率模块瞬态直通模型与关键技术研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 功率模块概述 | 第12-18页 |
| 1.1.1 功率模块分类 | 第13-15页 |
| 1.1.2 功率模块现状与发展 | 第15-18页 |
| 1.2 高压IGBT功率模块与主要性能 | 第18-20页 |
| 1.3 主要研究内容和创新点 | 第20-22页 |
| 第二章 三相逆变高压IGBT功率模块 | 第22-55页 |
| 2.1 三相逆变高压IGBT功率模块概述 | 第22-25页 |
| 2.2 高压IGBT dv/dt瞬态直通模型 | 第25-35页 |
| 2.2.1 dv/dt瞬态直通模型 | 第25-28页 |
| 2.2.2 dv/dt瞬态直通模型实验与讨论 | 第28-32页 |
| 2.2.3 dv/dt与高压IGBT安全工作区 | 第32-35页 |
| 2.3 自举电路与保护电路 | 第35-43页 |
| 2.3.1 自举电路 | 第35-37页 |
| 2.3.2 保护电路 | 第37-43页 |
| 2.4 di/dt瞬态负电压 | 第43-51页 |
| 2.4.1 di/dt瞬态负电压产生机理与抑制 | 第44-47页 |
| 2.4.2 实验结果与讨论 | 第47-51页 |
| 2.5 三相逆变高压IGBT功率模块工艺 | 第51-54页 |
| 2.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第三章 高集成高压IGBT功率模块 | 第55-76页 |
| 3.1 集成PFC的功率模块 | 第55-67页 |
| 3.1.1 PFC控制概述 | 第55-56页 |
| 3.1.2 功率模块PFC主电路拓扑架构 | 第56-58页 |
| 3.1.3 功率模块PFC主电路控制模式 | 第58-62页 |
| 3.1.4 集成PFC的功率模块架构与工艺 | 第62-64页 |
| 3.1.5 实验结果与讨论 | 第64-67页 |
| 3.2 数字化双驱动功率模块 | 第67-75页 |
| 3.2.1 数字化双驱动矢量控制 | 第67-70页 |
| 3.2.2 数字化双驱动功率模块架构与工艺 | 第70-72页 |
| 3.2.3 实验结果与讨论 | 第72-75页 |
| 3.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 第四章 低功耗高压SiC功率模块 | 第76-100页 |
| 4.1 SiC宽禁带半导体特性 | 第76-78页 |
| 4.1.1 SiC宽禁带半导体物理参数 | 第76-77页 |
| 4.1.2 SiC宽禁带半导体品质因数 | 第77-78页 |
| 4.2 低功耗复合SiC功率模块 | 第78-83页 |
| 4.2.1 SiC SBD器件 | 第78-80页 |
| 4.2.2 复合SiC功率模块 | 第80-83页 |
| 4.3 低功耗全SiC功率模块 | 第83-87页 |
| 4.3.1 SiC MOSFET器件 | 第83-84页 |
| 4.3.2 全SiC功率模块 | 第84-87页 |
| 4.4 高压SiC功率模块功率测试技术 | 第87-92页 |
| 4.4.1 单相二线制（1P2W）模式 | 第88页 |
| 4.4.2 三相三线制（3P3W）模式 | 第88-90页 |
| 4.4.3 三相四线制（3P4W）模式 | 第90页 |
| 4.4.4 高压SiC功率模块功率测试 | 第90-92页 |
| 4.5 实验结果与讨论 | 第92-99页 |
| 4.5.1 复合SiC功率模块实验结果与讨论 | 第92-96页 |
| 4.5.2 全SiC功率模块实验结果与讨论 | 第96-99页 |
| 4.6 本章小结 | 第99-100页 |
| 第五章 总结与展望 | 第100-102页 |
| 5.1 总结 | 第100-101页 |
| 5.2 展望 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-113页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第113-115页 |
