| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 双极晶体管辐射效应研究 | 第10-14页 |
| 1.2.1 电离辐射损伤 | 第10-11页 |
| 1.2.2 位移辐射损伤 | 第11-12页 |
| 1.2.3 氢对辐射缺陷的影响 | 第12-14页 |
| 1.3 双极晶体管退火效应研究 | 第14-17页 |
| 1.3.1 电离辐射缺陷的退火 | 第14-15页 |
| 1.3.2 位移辐射缺陷的退火 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 试验器件及分析测试方法 | 第19-25页 |
| 2.1 试验器件 | 第19页 |
| 2.2 辐照试验 | 第19-21页 |
| 2.3 浸泡氢气试验 | 第21页 |
| 2.4 退火试验 | 第21-22页 |
| 2.5 电性能分析方法 | 第22-24页 |
| 2.5.1 Gummel曲线 | 第23页 |
| 2.5.2 电流增益 | 第23页 |
| 2.5.3 漏电流 | 第23-24页 |
| 2.6 深能级瞬态谱分析方法 | 第24-25页 |
| 第3章 双极晶体管 1 MeV电子辐照损伤效应研究 | 第25-35页 |
| 3.1 辐射损伤对 3DG110晶体管电性能的影响 | 第25-30页 |
| 3.1.1 Gummel特性曲线的变化规律 | 第25-26页 |
| 3.1.2 电流增益的变化量随辐照注量的变化规律 | 第26-27页 |
| 3.1.3 电流增益倒数变化量随辐照注量的变化规律 | 第27-29页 |
| 3.1.4 漏电流随辐照注量的变化规律 | 第29-30页 |
| 3.2 辐射损伤对 3DG110晶体管缺陷行为的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.1 辐照前未进行氢气处理的晶体管深能级缺陷分析 | 第30-31页 |
| 3.2.2 辐照前氢气处理的晶体管深能级缺陷分析 | 第31页 |
| 3.3 3DG110晶体管辐照损伤机理研究 | 第31-34页 |
| 3.3.1 氢气处理前后晶体管Gummel特性曲线的比较 | 第31-32页 |
| 3.3.2 氢气处理前后晶体管电流增益变化规律的比较 | 第32-33页 |
| 3.3.3 氢气处理前后晶体管深能级瞬态谱的分析比较 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 双极晶体管的退火效应研究 | 第35-55页 |
| 4.1 未进行氢气处理的双极晶体管的退火效应 | 第35-39页 |
| 4.1.1 退火过程中电性能变化规律 | 第35-38页 |
| 4.1.2 退火过程中深能级缺陷变化规律 | 第38-39页 |
| 4.2 氢气处理的双极晶体管的退火效应 | 第39-43页 |
| 4.2.1 退火过程中电性能变化规律研究 | 第39-42页 |
| 4.2.2 退火过程中深能级缺陷的变化规律 | 第42-43页 |
| 4.3 辐照前未进行氢气处理的晶体管氢气氛围内退火效应 | 第43-47页 |
| 4.3.1 氢气氛围内退火过程中电性能变化规律 | 第43-45页 |
| 4.3.2 退火过程中深能级缺陷的变化规律 | 第45-47页 |
| 4.4 3DG110晶体管退火效应机理分析 | 第47-53页 |
| 4.4.1 辐照前氢气处理对 3DG110双极晶体管退火过程的影响 | 第47-49页 |
| 4.4.2 氢气氛围内退火对 3DG110双极晶体管退火过程的影响 | 第49-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
