| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 TFT 结构及基本原理 | 第11-12页 |
| 1.1.1 TFT 结构 | 第11页 |
| 1.1.2 TFT 的工作原理 | 第11-12页 |
| 1.2 TFT 器件有源层的发展及研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 硅 | 第12-13页 |
| 1.2.2 三五族化合物 | 第13页 |
| 1.2.3 有机半导体 | 第13-14页 |
| 1.2.4 氧化物材料 | 第14-15页 |
| 1.3 溶胶凝胶制备薄膜技术 | 第15-19页 |
| 1.3.1 原材料 | 第15页 |
| 1.3.2 溶胶反应与制备 | 第15-16页 |
| 1.3.3 溶胶凝胶法制备薄膜 | 第16-18页 |
| 1.3.4 薄膜的热处理 | 第18-19页 |
| 1.4 溶胶凝胶法制备氧化锌基薄膜晶体管的研究现状 | 第19-23页 |
| 1.4.1 溶胶凝胶法制备 IZO TFT 的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.4.2 溶胶凝胶法制备 IGZO TFT 的研究现状 | 第21-23页 |
| 1.5 课题的来源 | 第23页 |
| 1.6 本研究的目的和主要内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验材料与实验方法 | 第25-30页 |
| 2.1 TFT 器件结构 | 第25页 |
| 2.2 TFT 各层的制备工艺 | 第25-29页 |
| 2.2.1 衬底的清洗 | 第25页 |
| 2.2.2 栅极与源漏极，绝缘层的制备 | 第25页 |
| 2.2.3 溶液法制备 TFT 有源层 | 第25-29页 |
| 2.3 表征及其测试 | 第29页 |
| 2.3.1 溶胶的性能表征 | 第29页 |
| 2.3.2 薄膜的表征及测试方法 | 第29页 |
| 2.3.3 器件性能的表征及测试方法 | 第29页 |
| 2.4 小结 | 第29-30页 |
| 第三章 溶胶凝胶法制备薄膜 | 第30-45页 |
| 3.1 掺镓氧化锌（GZO）薄膜 | 第30-38页 |
| 3.1.1 GZO 溶胶 | 第31-32页 |
| 3.1.2 GZO 薄膜的性能 | 第32-38页 |
| 3.2 铟锌氧化物（IZO）薄膜 | 第38-41页 |
| 3.2.1 IZO 溶胶的性能 | 第38-39页 |
| 3.2.2 IZO 薄膜的性能 | 第39-41页 |
| 3.3 铟镓锌氧化物（IGZO）薄膜 | 第41-43页 |
| 3.3.1 IGZO 溶胶的性能 | 第41-42页 |
| 3.3.2 IGZO 薄膜的性能 | 第42-43页 |
| 3.4 小结 | 第43-45页 |
| 第四章 溶胶凝胶法制备薄膜晶体管 | 第45-53页 |
| 4.1 IZO-TFT | 第45-47页 |
| 4.1.1 IZO TFT 结构 | 第45页 |
| 4.1.2 铟含量对 IZO TFT 器件性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.2 IGZO-TFT | 第47-52页 |
| 4.2.1 IGZO TFT 结构 | 第47页 |
| 4.2.2 镓含量对 IGZO TFT 性能的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.3 热处理温度对 IGZO TFT 性能的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.4 IGZO TFT 器件稳定性的研究 | 第51-52页 |
| 4.3 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 结论 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-64页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第64-65页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所作的项目 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
