| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 HBT概述 | 第11-12页 |
| 1.2 HBT结构与工作原理 | 第12-14页 |
| 1.2.1 BJT结构与原理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 HBT材料结构与工作原理 | 第13-14页 |
| 1.3 衡量HBT器件性能的主要电学参数 | 第14-16页 |
| 1.4 HBT材料体系与结构改进 | 第16-20页 |
| 1.4.1 HBT材料体系 | 第16-18页 |
| 1.4.2 HBT的结构改进 | 第18-20页 |
| 1.5 InP基锑化物基区HBT研究历史和现状 | 第20-24页 |
| 1.5.1 InP/GaAsSb/InP DHBT的提出 | 第20-22页 |
| 1.5.2 InP基锑化物基区DHBT的发展 | 第22-24页 |
| 1.6 本文研究意义及内容安排 | 第24-26页 |
| 第2章 器件模型理论和GaAsSb材料特性 | 第26-43页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 弛豫时间近似下求解玻耳兹曼输运方程 | 第27-32页 |
| 2.2.1 玻耳兹曼方程 | 第27-28页 |
| 2.2.2 弛豫时间近似 | 第28-29页 |
| 2.2.3 电流密度和能流密度方程 | 第29-32页 |
| 2.3 能量平衡模型与流体动力学模型 | 第32-34页 |
| 2.4 材料参数模型 | 第34-37页 |
| 2.4.1 载流子复合模型 | 第35-36页 |
| 2.4.2 碰撞电离模型 | 第36页 |
| 2.4.3 载流子迁移率模型 | 第36-37页 |
| 2.5 GaAsSb材料特性 | 第37-42页 |
| 2.5.1 晶体结构和晶格匹配 | 第38页 |
| 2.5.2 能带参数 | 第38-40页 |
| 2.5.3 有效质量和有效状态密度 | 第40页 |
| 2.5.4 载流子迁移率 | 第40-41页 |
| 2.5.5 载流子寿命 | 第41页 |
| 2.5.6 热导率与热阻 | 第41-42页 |
| 2.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 InP/GaAsSb/InP DHBT性能分析 | 第43-50页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 器件结构和模型 | 第43-45页 |
| 3.3 不同器件物理模型的结果与分析 | 第45-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 InP/InGaAs/GaAsSb/InP DHBT性能分析 | 第50-64页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 具有InGaP缓变结构的InP/GaAsSb/InP DHBT器件性能分析 | 第50-57页 |
| 4.2.1 器件结构和模型 | 第50-52页 |
| 4.2.2 缓变发射结InP/GaAsSb/InP DHBT器件结果与分析 | 第52-57页 |
| 4.3 As组分缓变基区InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT器件热电性能分析 | 第57-63页 |
| 4.3.1 器件结构与模型 | 第57-58页 |
| 4.3.2 缓变基区InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT器件结果与分析 | 第58-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 InP/InGaAsSb/InGaAs DHBT性能分析 | 第64-70页 |
| 5.1 引言 | 第64页 |
| 5.2 器件结构与模型 | 第64-65页 |
| 5.3 InP/1nGaAsSb/InGaAs DHBT器件结果与分析 | 第65-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第6章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 总结 | 第70-71页 |
| 6.2 展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读硕士学位期间录用和发表的论文 | 第78页 |
