| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 平板显示技术(FPDs) | 第10-13页 |
| 1.2 基于Si的薄膜晶体管(TFTs) | 第13-14页 |
| 1.3 氧化物薄膜晶体管(TFTs) | 第14-27页 |
| 1.3.1 氧化物TFTs的优势与需求分析 | 第14-17页 |
| 1.3.2 氧化物TFTs的发展历史 | 第17-22页 |
| 1.3.3 氧化物TFTs的研究现状 | 第22-24页 |
| 1.3.4 氧化物TFTs的应用 | 第24-27页 |
| 1.4 本文的选题依据和研究内容 | 第27-30页 |
| 第二章 ZnO材料与TFTs器件物理 | 第30-40页 |
| 2.1 ZnO材料特性 | 第30-31页 |
| 2.2 非故意掺杂ZnO薄膜的n型导电机制 | 第31-33页 |
| 2.2.1 ZnO本征点缺陷 | 第32页 |
| 2.2.2 H掺杂 | 第32-33页 |
| 2.3 薄膜晶体管(TFTs)器件物理 | 第33-40页 |
| 2.3.1 TFTs的器件结构 | 第33-35页 |
| 2.3.2 TFTs的工作原理 | 第35-36页 |
| 2.3.3 TFTs的主要静态特性 | 第36-40页 |
| 第三章 实验原理和ZnO TFTs的制备 | 第40-54页 |
| 3.1 器件结构的选择 | 第40-41页 |
| 3.1.1 顶栅结构 | 第40-41页 |
| 3.1.2 双层绝缘层 | 第41页 |
| 3.2 原子层沉积(ALD)技术 | 第41-46页 |
| 3.2.1 ALD的工作原理 | 第42-43页 |
| 3.2.2 ALD生长Al_2O_3 | 第43-44页 |
| 3.2.3 ALD生长ZnO | 第44-46页 |
| 3.3 ZnO TFTs的制备流程 | 第46-54页 |
| 3.3.1 实验设备 | 第46-50页 |
| 3.3.2 ZnO TFTs制备流程 | 第50-54页 |
| 第四章 ZnO TFTs的电学性能研究 | 第54-64页 |
| 4.1 ZnO薄膜的电学特性与表征 | 第54-58页 |
| 4.1.1 生长温度对ZnO薄膜电阻率的影响 | 第54-55页 |
| 4.1.2 退火温度和氛围对ZnO薄膜电阻率的影响 | 第55-57页 |
| 4.1.3 退火处理对ZnO薄膜表面形态的影响 | 第57-58页 |
| 4.2 ZnO薄膜生长温度对ZnO TFTs性能的影响 | 第58-60页 |
| 4.3 ZnO薄膜退火温度对ZnO TFTs性能的影响 | 第60-62页 |
| 4.4 小结 | 第62-64页 |
| 第五章 ZnO TFTs的稳定性研究 | 第64-76页 |
| 5.1 引言 | 第64页 |
| 5.2 ZnO TFTs电学稳定性分析 | 第64-70页 |
| 5.2.1 电滞回线(hysteresis) | 第65-66页 |
| 5.2.2 阈值电压负向漂移 | 第66-67页 |
| 5.2.3 阈值电压正向漂移 | 第67-68页 |
| 5.2.4 驼峰效应(hump effect) | 第68-70页 |
| 5.3 ZnO TFTs电学稳定性的改善 | 第70-74页 |
| 5.3.1 三次退火的必要性 | 第71-73页 |
| 5.3.2 三步退火法对ZnO TFTs电学稳定性的改善 | 第73-74页 |
| 5.4 小结 | 第74-76页 |
| 第六章 总结与展望 | 第76-80页 |
| 6.1 本文研究工作总结 | 第76-77页 |
| 6.2 ZnO TFTs未来展望 | 第77-80页 |
| 参考文献 | 第80-90页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第90页 |
