| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 缩略词表 | 第10-14页 |
| 1 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第14-16页 |
| 1.2 IGBT简介及发展 | 第16-19页 |
| 1.2.1 IGBT的提出与工作原理 | 第16-17页 |
| 1.2.2 IGBT器件的技术发展 | 第17-19页 |
| 1.3 国内外研究现状及现有工作基础 | 第19-21页 |
| 1.3.1 国内外研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3.2 现有工作基础 | 第21页 |
| 1.4 本论文主要工作及章节安排 | 第21-23页 |
| 1.4.1 本论文主要工作 | 第21-22页 |
| 1.4.2 论文的组织结构 | 第22-23页 |
| 2 1700V/100AIGBT的设计改进与封测结果 | 第23-58页 |
| 2.1 前人成果的总结及IGBT的设计流程 | 第23-25页 |
| 2.1.1 前人成果的总结 | 第23页 |
| 2.1.2 IGBT的设计流程 | 第23-25页 |
| 2.2 1700V/100AIGBT器件的元胞设计改进及仿真验证 | 第25-31页 |
| 2.2.1 元胞纵向结构的设计改进及仿真验证 | 第25-28页 |
| 2.2.2 元胞横向结构的设计及仿真验证 | 第28-30页 |
| 2.2.3 元胞关断过程的仿真验证 | 第30-31页 |
| 2.3 1700V/100AIGBT器件终端结构的仿真验证 | 第31-36页 |
| 2.3.1 功率器件的终端结构技术 | 第31-33页 |
| 2.3.2 场限环和多晶硅场板复合的终端结构的仿真验证 | 第33-36页 |
| 2.4 1700V/100AIGBT器件的工艺设计改进 | 第36-45页 |
| 2.4.1 背面集电极工艺的改进 | 第36-40页 |
| 2.4.2 整体工艺流程 | 第40-45页 |
| 2.5 1700V/100AIGBT器件的版图设计改进 | 第45-48页 |
| 2.6 1700V/100AIGBT器件的封装与测试 | 第48-56页 |
| 2.6.1 器件的封装 | 第48-49页 |
| 2.6.2 器件的测试 | 第49-56页 |
| 2.7 本章小结 | 第56-58页 |
| 3 双面残留层专利技术在1700VIGBT的应用 | 第58-69页 |
| 3.1 一种带有双面扩散残留层的结构及应用 | 第58-63页 |
| 3.1.1 一种带有双面残留层的结构及其实现方法 | 第58-61页 |
| 3.1.2 正面N+扩散残留层对1700VIGBT性能的影响 | 第61-63页 |
| 3.2 带有双面残留层结构的1700VIGBT过早击穿现象的分析 | 第63-68页 |
| 3.2.1 带有双面残留层结构的流片结果 | 第63-65页 |
| 3.2.2 三重扩散片缺陷腐蚀观察结果 | 第65-68页 |
| 3.2.3 带有双面残留层的结构运用到3300VIGBT的可行性论述 | 第68页 |
| 3.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 4 带有双面残留层技术的3300VIGBT设计 | 第69-84页 |
| 4.1 3300VIGBT元胞的设计与仿真验证 | 第69-74页 |
| 4.1.1 元胞的纵向尺寸设计 | 第69-71页 |
| 4.1.2 元胞横向结构的设计 | 第71-73页 |
| 4.1.3 元胞关断过程的仿真验证 | 第73-74页 |
| 4.2 3300VIGBT器件终端结构的设计与仿真验证 | 第74-78页 |
| 4.3 3300VIGBT整体工艺流程的设计 | 第78-83页 |
| 4.4 本章小结 | 第83-84页 |
| 5 总结与展望 | 第84-86页 |
| 5.1 研究成果总结 | 第84页 |
| 5.2 对未来工作的展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第92页 |
| 作者简历 | 第92页 |
| 发表和录用的文章及专利 | 第92页 |
