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大电流IGBT芯片的研究

摘要第7-8页
Abstract第8页
第1章 绪论第16-24页
    1.1 研究背景第16-22页
        1.1.1 IGBT概述第16-18页
        1.1.2 软穿通IGBT(SPT IGBT)的介绍及发展现状第18-21页
        1.1.3 平面型IGBT(LIGBT)的介绍及发展现状第21-22页
    1.2 本论文的主要工作和创新点第22-23页
        1.2.1 本论文主要工作第22页
        1.2.2 本论文创新点第22-23页
    1.3 本论文组织结构第23-24页
第2章 3300V/50A SPT IGBT的设计及动态失效特性研究第24-56页
    2.1 仿真原理和方案第24-25页
    2.2 仿真软件介绍第25页
    2.3 工艺结构仿真第25-26页
    2.4 3300V SPT IGBT的静态特性仿真第26-30页
        2.4.1 3300V SPT IGBT的器件尺寸第26-27页
        2.4.2 3300V SPT IGBT的正向阻断特性第27-28页
        2.4.3 3300V SPT IGBT的阈值电压特性第28-29页
        2.4.4 3300V SPT IGBT的电流特性第29页
        2.4.5 本节小结第29-30页
    2.5 3300V SPT IGBT的电容特性仿真第30-31页
    2.6 3300V SPT IGBT的开关特性仿真第31-34页
        2.6.1 仿真模型第31-32页
        2.6.2 仿真结果和分析第32-33页
        2.6.3 本节小结第33-34页
    2.7 3300V SPT IGBT的短路特性仿真第34-36页
        2.7.1 短路失效概述第34-35页
        2.7.2 短路特性仿真第35-36页
        2.7.3 本节小结第36页
    2.8 3300V SPT IGBT的动态雪崩特性仿真第36-41页
        2.8.1 仿真模型第36-37页
        2.8.2 仿真结果和分析第37-41页
        2.8.3 本节小结第41页
    2.9 3300V SPT IGBT的闩锁特性仿真第41-52页
        2.9.1 闩锁效应概述第42-43页
        2.9.2 P阱区的掺杂浓度对闩锁特性的影响第43-48页
        2.9.3 环境温度对闩锁特性的影响第48-50页
        2.9.4 工作电流对闩锁特性的影响第50-51页
        2.9.5 本节小结第51-52页
    2.10 器件优化设计第52-54页
        2.10.1 局域载流子寿命控制概述第52页
        2.10.2 仿真结果和分析第52-54页
        2.10.3 本节小结第54页
    2.11 本章小结第54-56页
第3章 带有P型柱体的三维SA-LIGBT新型结构仿真第56-65页
    3.1 仿真原理和方案第56页
    3.2 仿真软件介绍第56-57页
    3.3 器件结构和理论分析第57-59页
    3.4 仿真结果和讨论第59-64页
        3.4.1 器件仿真参数第59页
        3.4.2 导通状态第59-62页
        3.4.3 关断状态第62-64页
    3.5 本章小结第64-65页
第4章 结论与展望第65-67页
    4.1 结论第65页
    4.2 展望第65-67页
参考文献第67-71页
硕士期间参与的项目与发表的论文第71-72页
致谢第72页

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