| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-30页 |
| 2.1 非晶氧化物半导体 | 第14-19页 |
| 2.1.1 AOS材料基础 | 第14-17页 |
| 2.1.2 AOS薄膜制备技术 | 第17-19页 |
| 2.2 薄膜晶体管 | 第19-28页 |
| 2.2.1 TFT器件基础 | 第19-24页 |
| 2.2.2 TFT器件性能优化 | 第24-25页 |
| 2.2.3 AOS TFT器件应用研究进展 | 第25-28页 |
| 2.3 选题依据和研究内容 | 第28-30页 |
| 第三章 实验方法与表征方式 | 第30-36页 |
| 3.1 溶液燃烧法制备薄膜技术 | 第30-32页 |
| 3.1.1 溶液燃烧法的制备原理 | 第30-31页 |
| 3.1.2 溶液燃烧法的工艺过程 | 第31-32页 |
| 3.2 实验过程 | 第32-33页 |
| 3.2.1 实验试剂和仪器 | 第32页 |
| 3.2.2 衬底清洗 | 第32-33页 |
| 3.2.3 溶胶制备 | 第33页 |
| 3.3 表征方式 | 第33-36页 |
| 3.3.1 溶胶性能的表征方式 | 第33-34页 |
| 3.3.2 薄膜性能的表征方式 | 第34页 |
| 3.3.3 器件性能的表征方式 | 第34-36页 |
| 第四章 非晶ZnTiSnO薄膜的制备及性能研究 | 第36-48页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 ZTTO溶胶的化学反应 | 第36-37页 |
| 4.3 非晶ZTTO薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 4.4 非晶ZTTO薄膜的性能 | 第38-45页 |
| 4.4.1 a-ZTTO薄膜的晶体结构 | 第38-39页 |
| 4.4.2 a-ZTTO薄膜的表面形貌 | 第39-41页 |
| 4.4.3 a-ZTTO薄膜的成分分布 | 第41-43页 |
| 4.4.4 a-ZTTO薄膜的光学特性 | 第43页 |
| 4.4.5 a-ZTTO薄膜的元素化学态 | 第43-45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-48页 |
| 第五章 非晶ZnTiSnO薄膜晶体管的制备及性能研究 | 第48-56页 |
| 5.1 引言 | 第48页 |
| 5.2 非晶ZTTO薄膜晶体管的制备 | 第48-49页 |
| 5.3 非晶ZTTO薄膜晶体管的性能 | 第49-54页 |
| 5.3.1 二次退火对a-ZTTO TFT性能影响 | 第49-51页 |
| 5.3.2 沟道宽长比对a-ZTTO TFT性能影响 | 第51页 |
| 5.3.4 Ti掺杂量对a-ZTTO TFT性能影响 | 第51-53页 |
| 5.3.5 Ti掺杂对a-ZTTO TFT稳定性影响 | 第53-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第六章 非晶ZnSnO薄膜晶体管的紫外探测应用 | 第56-64页 |
| 6.1 引言 | 第56-57页 |
| 6.2 非晶ZnSnO TFT的紫外探测性能 | 第57-62页 |
| 6.2.1 a-ZnSnO TFT的UV响应 | 第57-59页 |
| 6.2.2 a-ZnSnO TFT的UV恢复 | 第59-61页 |
| 6.2.3 a-ZnSnO TFT的UV探测机理 | 第61-62页 |
| 6.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第七章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 7.1 结论 | 第64-65页 |
| 7.2 创新点 | 第65页 |
| 7.3 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 个人简历 | 第76-78页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第78页 |
